英特爾日前宣布，對位於俄亥俄州園區的建設時間表進行重大修改。該園區廠原定於 2025 年完工，之後第一階段興建的晶圓廠產線進入新製程的研發與生產階段。然而，在該園區經過這第三次大幅延後時間之後，第一階段晶圓廠完工的時間將將來到 2030 年，量產晶片的時間則是在 2030~2031 年。英特爾強調，其對該園區興建的承諾沒有改變，將在市場需求允許的情況下，加快建設的能力。
英特爾的俄亥俄園區曾被稱為矽谷的心臟地帶，是一項雄心勃勃的晶圓廠經造計畫。該園區占地約 1,000 英畝，預計包含多達 8 座半導體晶圓廠。該園區還將進駐支援營運設施和產業合作夥伴。初步投資估計約 200 億美元，總開發成本可能高達 1,000 億美元。而儘管該園區經常延誤，但自 2022 年開工以來，該園區的進度已取得重大進展。
根據英特爾修改後的時間表顯示，俄亥俄州園區將採用 Intel 14A 和 14A-E 節點製程之後開發的先進製程技術，目前計劃於 2026-2027 年推出。這些先進的製程技術必須藉由 ASML 的尖端 High-NA EUV 微影曝光工具來協助生產，但每套尖端 High-NA EUV 微影曝光工具的成本約為 3.5 億美元。
英特爾表示，目前已經開始為俄亥俄州園區招募和培訓員工。工人們正在亞利桑那州、新墨西哥州和俄勒岡州現有的英特爾晶圓廠接受培訓，為最終在俄亥俄州漁區內的晶圓廠開業做準備。
英特爾決定推遲俄亥俄州園區晶圓廠的完工時間，是因為該公司和半導體產業正處於充滿挑戰的時期。過去的一年，英特爾面臨財務損失、裁員和領導層變動等問題。該公司也做出了簡化產品路線圖的策略決策，例如取消 AI 晶片計畫。
雖然，此次延遲可能會引發人們對英特爾未來需求前景的擔憂，但它也使該公司能夠在市場不確定期間，能更有效的管理其資本支出。透過延遲對生產設備的重大投資，英特爾可以專注於恢復獲利能力，同時保持在市場條件改善時擴大營運的靈活性。
(首圖來源：英特爾提供)