三星前高層涉嫌竊記憶體技術，跑到中國建廠遭捕

韓國警方逮捕兩名三星電子前高層，因為涉嫌竊取價值超過 4.3 兆韓圜（約 32 億美元）技術，在中國建立山寨晶片製造廠。

彭博社報導，首爾市警察廳指出，被捕嫌疑人之一為 66 歲 Choi 姓男子，招募韓國晶片專家與中國官員成立合資企業，洩露三星記憶體技術。

韓國警方 10 日表示，中國合資企業成都高真嚴重安全違規，負責人就是 Choi 姓男子，他得到工廠設計師 Oh 姓男子協助。

韓國警方沒說時間軸，但表示兩人去年與官員合作生產 20 奈米 DRAM 晶片，不僅損害三星利益，還在各國陷入全球晶片大戰時削弱國家競爭力，已阻止這間中國企業經營，但仍在調查技術外洩程度。三星拒絕回應。

這並不是韓國科技公司員工第一次竊取商業機密被捕。去年 5 月，SK 海力士前員工印製三千頁半導體製程資料潛逃，在韓國機場被捕。警方懷疑她將這些印刷文件裝在華為袋子裡，但她否認所有指控。

中國也保持沉默，為了不讓半導體產業依賴西方，中國仍努力建立晶片產業，考慮到美中科技戰持續嚴峻，中國官員通常會縱容這些行為。

（首圖來源：三星）

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