三星電子（Samsung Electronics）已著手建立測試線，以提高第七代（1d）DRAM 良率。韓媒 Business Korea 報導，記憶體為 10 奈米等級，外界解讀三星包括 HBM 等 DRAM 領域失去優勢，為了拉大與競爭對手差距，採先發制人投資。
業界消息傳出，三星已於第四季開始在平澤 P2 廠建置 10 奈米級第七代 DRAM 測試線。業界也稱之為「單路徑線」（one path），明年第一季建成。
測試產線是測試新半導體產品量產潛力的設施，一旦下一代晶片性能在研發階段時確定，就會在此引進晶圓，開始提高量產良率。目前還不確定平澤 10 奈米級第七代 DRAM 廠房的規模，但通常安裝測試產線每月可處理約 1 萬片晶圓。
三星 3 月美國「MemCon 2024」宣布，2026 年前量產第七代 DRAM，至於前身第六代（1c）DRAM，計劃 2025 年量產。故這條第七代測試線與第六代 DRAM 量產準備工作同步進行。
三星計劃明年初開始以平澤 P4 廠為中心引進半導體設備，生產 10 奈米級第六代 DRAM，並加快良率腳步，目標是明年 5 月前取得公司量產認證（PRA）。此外，為了順利第六代 DRAM 量產，三星將 DRAM 人員從華城廠調派至平澤廠。
三星第六代 DRAM 還沒進入量產階段前就先蓋第七代廠房，外界認為是將明年視為重奪優勢的起步年，故預先投資。全球 DRAM 製造龍頭的三星最近遭遇重大打擊，HBM 市場被第二大公司 SK 海力士奪走，10 奈米級第六代記憶體開發速度也落後對手。
如果要奪回領導地位，必須加速產品開發，從三星新人事變動可窺見。三星副董事長全永鉉（Jeon Young-hyun）從半導體業務的設備解決方案（DS）負責人改為執行長（CEO），同時兼任記憶體業務和三星綜合技術院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）負責人。他以強大驅動力著稱，將大膽推動三星技術開發和投資。
業界人士解釋，全永鉉現在更密切參與三星記憶體技術，預估會從主力產品 DRAM 開始強力創新。
三星也加速投資 NAND，最近平澤一廠安裝業界第一條 400 層 NAND（V10）測試線，並在平澤四廠 NAND 廠房添置 286 層 V9 設備。
（首圖來源：三星）
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