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英特爾(INTC)3nm製程量產，效能大幅提升，顯示出其在半導體技術領域的追趕態勢。
英特爾的3nm工藝量產是其在半導體領域的重要突破，顯示出在高效能計算和數據中心應用中的追趕態勢。這一進展將有助於英特爾鞏固其市場份額，同時對競爭對手構成挑戰。投資者應關注英特爾在技術創新和市場應用上的進展，這將對其未來業績和股價產生重大影響。
新聞資訊
英特爾宣布3nm工藝量產
英特爾在半導體製造上達成重要里程碑，開始大規模量產其3nm工藝技術Intel 3，這一進展標誌著性能和晶體管密度的重大提升，以滿足下一代計算應用的需求。Intel 3的性能比前代的Intel 4提升了18%，支援1.2V低電壓，適用於高效能應用。
設計與技術優化
Intel 3主要針對數據中心應用，擁有改良的晶體管、低阻抗的互連技術和協同設計優化，以達到頂級性能。該工藝節點支援<0.6V到>1.3V的電壓範圍，確保各種操作負載下的最大效率。主要設計改進包括240nm高效能和210nm高密度設計庫，M2和M4間距減少2nm，提升整體密度和性能。
多層金屬堆疊選項
英特爾為客戶提供三種金屬堆疊選項：14層（成本優化）、18層（性能與成本平衡）和21層（最高性能）。目前，英特爾利用其3nm工藝技術生產Xeon 6處理器，主要應用於數據中心。同時，英特爾的代工服務也將利用這一工藝節點為其他客戶製造高效能處理器。
未來展望
未來，英特爾將推出多個演化版本，如Intel 3-T、Intel 3-E和Intel 3P-T，以進一步提升這一先進工藝的能力，滿足不同應用需求。
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