中國半導體突破8奈米？台積電前研發處長楊光磊坦言有可能：但這幾點存疑

美國對中國祭出晶片禁令之際，中國半導體技術傳出有重大突破，中國工信部日前指出，其國產氟化氬（DUV）光刻機可生產8奈以下的晶片，引發外界關注。對此，曾任中芯國際獨立董事、台積電前研發處長的楊光磊認為，中國製作出8奈米絕對有可能，也沒道理做不出來，但良率與功能仍要抱持存疑態度。

楊光磊在節目《永康新世界》指出，美國限制提供半導體相關設備與材料，以此卡住中國半導體發展的進度，使中國被迫國產化，而中國要自主做設備，應是希望傾全國之力來做。

對於中國光刻機傳出突破到一定程度，可自產8奈米晶片，楊光磊則表示，根據中國的奈米技術，目前中芯國際（SMIC）用艾司摩爾（ASML）的機器，製作7奈米晶片絕對沒問題，因為台積電第一代的7奈米也未使用到極紫外光（EUV）機器。（推薦閱讀：補件搶親被駁！中信金因禍得福早盤再漲逾2%　她總結新新併三角戀股價趨勢）

至於用乾式的氟化氬光刻機，楊光磊說，該光刻機雷射波長193奈米，要製作出8奈米的技術，絕對是可能的，因為193奈米不斷除以2就會接近8奈米，所以技術上絕對可行，但良率與功能仍要抱持存疑態度。他也說，其實氟化氬光刻機最早在半導體製程裡用於130奈米，大概是1999年左右，當年艾司摩爾、尼康（Nikon）、佳能（Canon）等都能做，所以要說中國今天做不出來，也完全沒道理。