請更新您的瀏覽器

您使用的瀏覽器版本較舊,已不再受支援。建議您更新瀏覽器版本,以獲得最佳使用體驗。

理財

5G、物聯網帶動射頻前端市場,解密中國廠商如何布局

科技新報

更新於 2020年01月02日15:41 • 發布於 2020年01月02日08:00

隨著 5G 網路在頻寬、覆蓋率、時延等技術全面提升,將人與物、物與物串連已不是遙不可及的夢想。根據 TrendForce 旗下拓墣產業研究院資料顯示,在這波浪潮下,為射頻前端市場營造出相當有利的發展空間,其組成元件發展受到關注;另一方面,5G 做為建構物聯網、智慧城市、智慧製造的基礎,中國廠商積極投入 5G 布局的情勢如何?一起來了解。

誰為射頻前端市場營造有利空間?

射頻前端是無線通訊設備的核心組件,介於天線與基頻晶片間,負責處理訊號接收與發送,主要由濾波器(Filter)、雙工器(Duplexer)低噪音放大器(LNA)、功率放大器(PA)與開關(Switch)等組成。拓墣產業研究院指出,隨著行動通訊系統從 2G 走向 5G,射頻前端支援的頻段越來越多,其內部各項元件的搭載數量也不斷提高,以手機為例,2G 手機射頻前端搭載的功率放大器約 1~2 顆,到了 5G 手機則需 16 顆以上。

在平均銷售單價部分,4G 手機射頻前端要價約 15~25 美元,5G 手機射頻前端則介於 30~55 美元;此外,5G 手機若要支援 n257 和 n258 等毫米波(mmWave)頻段,就得搭載更多天線與射頻前端模組,才能避免訊號衰減,其射頻前端價格可能在 70 美元以上。

由此可見,有了 5G 加入,未來架構的物聯網世界,將進一步擴大射頻前端市場規模。

▲ 2018~2022 年全球射頻前端市場規模預估。(Source:拓璞產業研究院,2019/12)

各家元件廠商發展動態概述

拓墣產業研究院表示,射頻前端市場各個組成元件技術門檻高,還沒有單一廠商能為各元件提供最具競爭力的解決方案。以下將聚焦射頻前端的內部元件,概述其發展動態。

▲ 射頻前端的成本結構。(Source:拓璞產業研究院,2019/12)

1. 濾波器

  • 濾波器(Filter)在射頻前端中成本占比最高,由壓電材料製成,主要功能是確保特定訊號通過,並將其他不必要的訊號衰減至最低,以實現高通、低通、帶通或帶阻(註 1)。目前主流的射頻前端濾波器有表面聲波(SAW)濾波器,以及體聲波(BAW)濾波器此外,5G 系統跨入毫米波頻段,也為低溫共燒陶瓷(LTCC)濾波器開創出全新商機。

  • 從指標供應商來看,SAW 濾波器主要由日本 Murata、TDK、太陽誘電與美國 Skyworks、Qorvo 壟斷,5 家廠商囊括約 96% 市占率;BAW 濾波器則由美國 Broadcom 獨大,市占率約 85%。在 LTCC 濾波器部分,日本 Murata 為領導廠商,TDK、太陽誘電亦布局多年。

▲ 2019 年 SAW(左)與 BAW(右)濾波器供應商市場占有率推估。(Source:拓璞產業研究院,2019/12)

2. 雙工器

  • 雙工器主要由濾波器組成,通常會形成 2 個帶阻,將特定範圍的訊號衰減至最低,並令其他訊號通過。

  • 因雙工器核心技術源自於濾波器,前述 Murata、TDK、太陽誘電、Broadcom、Skyworks 與 Qorvo 等濾波器廠商依然主導雙工器市場。

3. 低噪音放大器

  • 自天線接入的訊號通常較微弱,低噪音放大器(LNA)能將濾波器過濾後的特定訊號放大並抑制噪音,以利後續訊號處理,是訊號接收路徑上的必要元件(註 2)。

  • 在供應商部分,LNA 技術門檻不若濾波器和功率放大器,市場競爭者相對較多,主要供應商有美國 Broadcom、On Semiconductor、Texas Instrument、德國 Infineon 與荷蘭 NXP,各家市占率介於 7~14%。

▲ 2019 年 LNA 供應商市場占有率推估。(Source:拓璞產業研究院,2019/12)

4. 功率放大器

  • 為了確實將訊號穩定傳遞出去,功率放大器會(PA)將來自基頻晶片的微弱訊號放大(註 3),使訊號能經由天線發送出去,屬於訊號發射路徑元件,也是射頻前端內部功耗最高的元件,且成本占比僅次於濾波器。

  • 主要供應商有美國 Skyworks、Qorvo、Broadcom 與日本 Murata,3 家美系廠商合計市占率高達 86%。估計未來基於 GaAs 的 PA 仍會是主流産品,而 InPHBT PA、GaN HEMT PA 需求量則有望於 5G 擴大商用的過程中逐步走高。

▲ 2019 年 PA 供應商市場占有率推估。(Source:拓璞產業研究院,2019/12)

5. 開關

  • 開關的功用是管制訊號接收、發送路徑上各元件間的訊號傳遞,可在接收、發送做切換,或將特定訊號導向指定路徑。開關主要有 3 大類,分別是採用 CMOS 製程的 Switch、採用 SOI 製程的 Switch,以及基於 GaAs 的 Switch。(註 4)

  • 主要供應商有美國 Skyworks、Qorvo、Broadcom 與日本 Murata,合計市占率約 76%,上述廠商也正積極布局 SOI Switch,開發整合 LNA 與 Switch 的解決方案。

▲ 2019 年 Switch 供應商市場占有率推估。(Source:拓璞產業研究院,2019/12)

拓墣產業研究院提醒,終端設備裝置空間有限,如何進一步整合各元件以控制和縮小射頻前端尺寸,就成為國際大廠可以努力的方向。

中國指標廠商的因應之道

目前各個組成元件技術幾乎都由美國、日本所把持,即便華為、中興通訊與大唐電信等指標性廠商已成功奪得 5G 技術發言權,不過在射頻前端和光通訊元件上,中國仍高度依賴進口,技術上相較美國、日本與歐洲廠商仍有差距。

中、美貿易爭端浮上擡面後,中國官方與民間企業更積極設法降低對美系廠商的依賴,那麼,亟欲「去美化」的中國指標廠商,有誰已經投入相關領域謀求發展呢?

1. 濾波器

主要布局 SAW 濾波器的中國廠商有德清華塋、無錫好達、麥捷科技與信維通信,而致力開發 BAW 濾波器的廠商則有諾思和漢天下。

  • 德清華瑩:已具備 SAW 材料、元件與模組的解決方案,且 SAW 濾波器產品線完整,是當地最具實力的 SAW 供應商。

  • 無錫好達:耕耘 SAW 濾波器多年,能滿足 2G 和 3G 頻段的工作需求,已供貨給中興通訊和魅族等手機製造商。

  • 麥捷科技:本業為被動元件,以電感產品為主,近年切入 SAW 濾波器市場。

  • 信維通信:本業為通訊基地台天線與連接元件,2017 年入股德清華塋,協議一同開發 SAW 濾波器技術和共享產品出海口。

  • 諾思:專注於技術門檻較高的 BAW 濾波器,是中國當地唯一具備量產實力的廠商,產品涵蓋軍用與民用,後者以無人機和手機為主。

  • 漢天下:初步跨入濾波器領域,正積極開發 BAW 及基於 BAW 的雙工器。

2. 功率放大器、低噪音放大器、開關

現階段主流的 PA、LNA 與 Switch 大多由化合物半導體製成,多數布局 PA 的中國廠商,往往也切入技術門檻相對較低的 LNA 或 Switch,主要廠商有前述信維通信、漢天下,以及紫光展銳、唯捷創芯、慧智微電子、國民飛驤與卓勝微電子。

  • 信維通信:目標是量產適用於 5G 基地台的 GaN PA,以便與基地台天線本業整合。

  • 漢天下:具備 CMOSPA 與 GaAs PA 技術,產品線已涵蓋 2G、3G 與 4G 頻段,主要供貨給規模較小的當地手機製造商。

  • 紫光展銳:PA、LNA 與 Switch 技術承繼自銳迪科,產品線完整,可應用於 2G、3G 與 4G 頻段。在 2G 和 3G 手機市場耕耘已久。

  • 唯捷創芯:具備 GaAs PA 與 SOI Switch 技術,可應用於 2G、3G 與 4G 頻段,是中國當地最大 4G GaAs PA 供應商,SOI Switch 獲得眾多中國廠商採用,最大客戶為小米。

  • 慧智微電子:開發應用在 4G、5G 頻段的 PA、Switch,専注於整合射頻前端元件的解決方案,以及可重構射頻前端元件,在 SOI 製程上著墨較深。

  • 國民飛驤:主要產品有應用於 2G、3G、4G 頻段的 CMOS PA、GaAs PA,以及應用於 4G 頻段的 Switch 與 FEM 解決方案,目前正針對 5G 的 n78、n79 頻段開發 PA 與射頻前端整合方案。

  • 卓勝微電子:LNA、Switch 設計大廠,具備 GaAs LNA、SiGe LNA 與 SOI Switch 技術,其產品可應用於 2G、3G、4G 頻段,已打入三星等一線手機品牌供應鏈。

以上可知,目前中國廠商提供的射頻前端元件主要仍針對 2G、3G 市場,雖不少廠商已具備應用於 4G 市場的解決方案,但能搶市占率的產品,僅唯捷創芯的 PA 與卓勝微電子的 LNA、Switch。而在 5G 系統即將大規模商用前夕,中國廠商何時可以拉近與國際大廠的差距?如果中美貿易爭端未能善了,中國內部無力自給 5G 射頻前端的情況下,還能仰賴哪些供應商?更多深度分析請見拓墣產業研究院焦點報告

註 1:高通是令高頻訊號通過,並將截止頻率以下訊號衰減至最低;低通是讓低頻訊號通過,並將截止頻率以上訊號衰減至最低;帶通是令 2 個截止頻率間的訊號通過,將高截止頻率以上和低截止頻率以下訊號衰減至最低;帶阻是令 2 個截止頻率間的訊號衰減至最低,讓高截止頻率以上和低截止頻率以下的訊號通過。
註 2:主要低噪音放大器有採用 SOI 製程的 LNA、基於神化錄(GaAs)的假型高電。
註 3:主要功率放大器分別是採用 CMOS 製程的 PA,基於 GaAs 的高電子移動率電晶體(HEMT)PA、PHEMT PA 與 HBT PA,基於磷化錮(InP)的 HBT PA,以及基於氮化銥(GaN)的 HEMT PA 。
註 4:GaAs Switch 是市占率最高的 Switch 產品;CMOS Switch 的工作頻率在 1GHz 以下,主要針對低階市場;而SOI Switch 的成本和體積小於 GaAs Switch,且能與採用 SOI 製程的 LNA 整合。

(首圖來源:shutterstock)

0 0
reaction icon 0
reaction icon 0
reaction icon 0
reaction icon 0
reaction icon 0
reaction icon 0