โปรดอัพเดตเบราว์เซอร์

เบราว์เซอร์ที่คุณใช้เป็นเวอร์ชันเก่าซึ่งไม่สามารถใช้บริการของเราได้ เราขอแนะนำให้อัพเดตเบราว์เซอร์เพื่อการใช้งานที่ดีที่สุด

ไอที

Samsung เผยงานวิจัย ชิปเก็บข้อมูล NAND FeFET แบบใหม่ ใช้พลังงานน้อยลง 96%

BT Beartai

อัพเดต 02 ธ.ค. 2568 เวลา 09.06 น. • เผยแพร่ 02 ธ.ค. 2568 เวลา 05.44 น.
Samsung เผยงานวิจัย ชิปเก็บข้อมูล NAND FeFET แบบใหม่ ใช้พลังงานน้อยลง 96%

ในยุคที่ AI และ Big Data กลายเป็นสิ่งที่ขาดไม่ได้ เรามักพูดถึงความเร็วในการประมวลผลหรือความจุของข้อมูลที่เพิ่มขึ้นอย่างมหาศาล แต่สิ่งที่เรามักละเลยคือสิ่งที่ต้องแลกในรูปแบบของพลังงาน ความร้อน และโครงสร้างพื้นฐานที่กำลังแบกรับภาระหนักอึ้ง

ทุกครั้งที่เราบันทึกไฟล์หรือดึงข้อมูลจาก Cloud มันคือการเผาผลาญพลังงานที่มองไม่เห็น แต่ล่าสุด ทีมนักวิจัยจาก Samsung Advanced Institute of Technology ออกมาเผยแพร่งานวิจัยลงในวารสาร Nature ที่อาจเป็นกุญแจสำคัญในการช่วยประหยัดพลังงานให้กับโลก ด้วยสถาปัตยกรรมหน่วยความจำแบบใหม่ที่ลดการใช้พลังงานไฟฟ้าได้ 96%

เพื่อให้เข้าใจความสำคัญของเรื่องนี้ เราต้องมองโครงสร้างของหน่วยความจำ NAND Flash ที่อยู่ใน SSD หรือมือถือของทุกคนซะก่อน จินตนาการว่าในชิปหนึ่งตัวเปรียบเหมือนกับคอนโดฯ สูงระฟ้า ที่ในทุก ๆ ชั้นจะมีห้องเก็บข้อมูล ปัญหาคือทุกครั้งที่มีการอ่านหรือเขียนข้อมูล ระบบจำเป็นต้องจ่ายไฟเลี้ยงให้กับทุกชั้น เพื่อเปิดทางให้สัญญาณวิ่งผ่านไปได้

ถ้าเก็บข้อมูลอยู่ชั้นที่ 100 แต่การจะขึ้นลิฟต์ไป ก็ต้องเปิดไฟทางเดินของทั้ง 99 ชั้นด้านล่าง ทำให้สิ้นเปลืองพลังงาน ยิ่งสูงพลังงานที่เสียไปกับค่าผ่านทางนี้ยิ่งทวีคูณ จนกลายเป็นตัวการหลักที่ทำให้หน่วยความจำรุ่นใหม่ ๆ กินไฟมหาศาล

แต่งานวิจัยของ Samsung ก็ค้นพบทางออกโดยการเปลี่ยนโครงสร้างพื้นฐานจากเดิมที่เป็น Charge-Trap มาเป็น Ferroelectric Field-Effect Transistor (FeFET) โดยใช้วัสดุกลุ่มแฮฟเนียม (Hafnia-based ferroelectric) กับออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ (Oxide Semiconductor) ทำให้สามารถทำงานได้โดยมีแรงดันไฟฟ้าเริ่มต้นต่ำกว่าศูนย์ หรือที่เรียกว่า “Near-Zero Pass-Voltage” สิ่งนี้ทำให้ระบบสามารถดำเนินการอ่านหรือเขียนข้อมูลได้โดยแทบไม่ต้องจ่ายแรงดันไฟฟ้าเพื่อผ่านทางเหมือนแต่ก่อน

จากการจำลองโมเดลของทีมวิจัย หากนำเทคโนโลยีนี้ไปใช้กับหน่วยความจำที่มีความสูง 286 เลเยอร์ จะลดพลังงานในการเขียนและอ่านได้ถึง 94% และหากเทคโนโลยีนี้พัฒนาไปถึงระดับ 1,024 เลเยอร์ ตัวเลขการประหยัดพลังงานจะพุ่งสูงเกิน 96% เมื่อเทียบกับเทคโนโลยีปัจจุบัน

แม้จะประหยัดพลังงาน แต่ก็ยังมีเรื่องที่ต้องวิจัยเพิ่มเกี่ยวกับความทนทาน ทีมวิจัยพบว่าโครงสร้างแบบใหม่นี้รองรับรอบการเขียนข้อมูล (Cycle) ได้เพียงหลักร้อยถึงหลักพันครั้งเท่านั้น ในขณะที่ SSD เกรดองค์กรต้องการความทนทานที่สูงกว่านี้มาก นอกจากนี้ยังมีเรื่องวัสดุที่ต้องทนทานกับอุณหภูมิสูงในขณะใช้งานที่ยังเป็นโจทย์หินอีกด้วย

แต่นี่ถือว่าเป็นก้าวสำคัญของวงการเทคโนโลยีโลก เพราะสถาปัตยกรรมหน่วยความจำแบบเดิมกำลังจะถึงทางตันในแง่ของประสิทธิภาพพลังงาน หากโลกยังต้องการ AI ที่ฉลาดขึ้นและ Data Center ที่ใหญ่ขึ้น เราต้องการฮาร์ดแวร์ที่กินไฟน้อยลงอย่างมีนัยสำคัญ นวัตกรรม FeFET ของ Samsung จึงเป็นแสงสว่างที่ปลายอุโมงค์ที่น่าจับตามองที่สุดในขณะนี้ แม้จะต้องรออีกหลายปีกว่าจะได้เห็นมันในอุปกรณ์จริงก็ตาม

ดูข่าวต้นฉบับ
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...