博盛半導體明日舉辦上櫃前業績發表會，預計 12 月底掛牌交易，董事長孟祥集表示，目前以海外與車用市場為兩大動能，雖然大環境有不確定風險，但明年展望仍審慎樂觀，並將在年底推出低功耗高頻的 Dr.MOS，鎖定 AI PC、AI 伺服器，代表從 MOSFET 跨入 PMIC IC 領域。
孟祥集表示，博盛成立於 2014 年，主要從事功率半導體元件、電源管理積體電路及驅動及電源模組的設計、研發、製造、銷售及整合，產品包含消費性中低壓 MOSFET、工業用高壓高功率 IGBT、Super Junction，以及先進 GaN & SiC 產品等。
孟祥集指出，博盛以功率場效電晶體（MOSFET）為核心產品，專注設計開發、應用服務與銷售，並透過先進技術和全球布局，成為功率半導體市場的重要參與者，並從電力轉換到電動車，再到再生能源和伺服器，產品應用面相當廣泛。
孟祥集分享，博盛的高質量 MOSFET 產品，全方位涵蓋低壓、中壓、高壓範疇，技術包括超結型（Super Junction）、平面型（Planar）、溝槽型（Trench）及屏蔽閘極溝槽式（SGT）等製程結構。
孟祥集提到，有別於其他同業，博盛在產品選擇，專注於高階應用產品開發，如電動車與伺服器，成功建立差異化競爭優勢，並從創立之初就確立國際化策略，目前在全球24個國家設有銷售渠道，更與 87 家經銷商合作，服務北美、歐洲與亞洲市場。
孟祥集說明，博盛的低壓 MOSFET 廣泛應用於消費性電子與伺服器設備，而高壓 MOSFET 則專注於各式 AC-DC 電源系統與再生能源，車用元件則覆蓋車燈、儀錶板、PD、車用空調與馬達驅動等領域，目前外銷收入占比高達 55.82%，而內銷則為 44.18%。
孟祥集補充，博盛的 ASEMM（應用特定增強模組）技術，進一步提升高頻率與高效率電源設計能力，透過無線封裝與銅柱製程實現低損耗與高穩定性，大幅改善傳統封裝的阻抗與感抗問題，特別是在中低壓 MOSFET 市場，已開發出第三代超低導通電阻（RSP）的 SGT MOSFET。
第三代半導體材料的開發方面，孟祥集指出，碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）作為高壓應用的主流技術，已被廣泛應用於電動車和再生能源領域，根據 TrendForce 報告指出，2022 年 SiC 功率元件市場產值達 16 億美元，主要來自電動車 67.4% 與再生能源 13.1%，並預計至 2026 年市場規模將達 53.3 億美元，前景樂觀。
車用市場方面，孟祥集指出，憑藉多年技術沉澱與經驗，已在 2022 年完成車規產品量產，並獲得 AEC-Q101 及 ISO 9001/14001 等國際認證，這些認證不僅是進入車用市場的關鍵門檻，更鞏固博盛產品的可靠性與市場競爭力。截至目前，車用產品已占博盛營收的 10%，累積出貨超過 1 億顆，並持續擴大車用產品應用中。
孟祥集強調，博盛在日本與韓國已與多家車廠建立穩固供應鏈，並在美國、德國、新加坡等地設有辦公室，直接服務全球客戶。隨著電動車市場高速增長，功率半導體的重要性不斷提升，並計劃在未來三年內進一步提升車規產品出貨量，隨著市場需求逐漸加大，營運前景樂觀。
博盛半導體 2024 年前三季累計營收 10.64 億元，年增 5.32%；營業毛利 3.8 億元，年增 34.44%，毛利率 35.77%；稅後淨利 2.01 億元，年增 64.38%，每股稅後純益（EPS）6.83 元，年增 57.01%。
（首圖為博盛董事長孟祥集；來源：科技新報）
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