足以承受金星近 500℃ 高溫，氮化鎵電子設備增強太空探索能力

由於失控溫室效應，金星表面溫度可攀升至接近 500℃，這也成為人類至今無法發送金星車原因之一，當前矽基電子設備無法在如此極端溫度下長時間運作。為了探索金星地表，研究人員正轉向投靠氮化鎵，這是一種可承受 500℃ 或更高溫度的獨特材料。

傳統矽基電子產品操作溫度極限約 300℃，面對金星高溫勢必無法操作，因此麻省理工學院團隊開始鑽研另一種堅硬且機械方面非常穩定的氮化鎵（gallium nitride，GaN）半導體材料表現，尤其是高溫對氮化鎵設備的「歐姆接觸（Ohmic contact）」影響。

歐姆接觸是影響積體電路性能和穩定性的關鍵因素，雖然氮化鎵近年受到廣泛關注，有機會替代發展已達極限的矽基半導體技術，但還沒人真正研究過當溫度一路升至 500℃，氮化鎵電子設備會出現什麼問題。

新研究發現，極端溫度不會使氮化鎵材料或接點退化，即使處於 500℃ 溫度 48 小時，連接結構仍完好無損，確保該結構能於高溫下倖存，並弄清溫度升高會發生多少變化，便能進一步設計高性能氮化鎵電晶體。

雖然材料在 48 小時後就開始降解，至少研究人員已努力延長時間維持性能，未來其他策略是添加保護性絕緣體以防止材料直接暴露在高溫環境，希望有天能成功開發在金星表面等極熱環境運行的太空電子設備。

• Electronics That Defy Venus’ Heat: How Gallium Nitride Could Revolutionize Space Exploration

（首圖來源：AI 生成）

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