有助節省成本，三星成功減少 3D NAND 曝光製程光阻劑用量

韓媒 TheElec 報導，三星已成功大幅減少 3D NAND 快閃記憶體生產過程中曝光製程所使用的光阻劑（PR）。

消息人士指出，三星已經為未來 NAND 設定生產路線圖，只使用比以前少一半的 PR。過去每個塗層使用的 PR 為 7~8cc，現在已減至 4~4.5cc。

為了減少製程中 PR 使用量，三星控制塗布機的旋轉（rpm）次數，也調整 PR 塗布後的蝕刻條件，減少 PR 使用量後也有助於節省成本。

三星為了增加層數，曾在 3D NAND 生產中使用厚氪氟化物（KrF）PR。當 NAND 堆疊層數達到一百層，成本將提高，使用厚的 PR 可一次形成多層，從而提高三星的製程效率。然而，厚 PR 的黏度很高，塗布時會造成均勻性問題。

為了開發沒有均勻性問題的厚 PR，三星早在 2013 年以前就與韓國化學材料廠 Dongjin Semichem（東進世美肯）合作，後者也成為三星 KrF PR 的獨家供應商。

當塗布在第七代 NAND 上時，PR 厚度為 11 微米；第八代厚度為 14 微米（越厚越好）。知情人士透露，但從第九代 3D NAND 開始，由於旋轉轉速和蝕刻條件的調整，三星將使用比以前少一半的PR，預期可節省數百億韓圜。

然而，這也代表三星向 Dongjin Semichem 的 PR 訂購量將會減少。Dongjin Semichem 每年從 PR 賺取 2,500 億韓圜營收，其中 60% 來自供貨給三星。也因此，Dongjin Semichem 董事長 Lee Boo-Sup 最近要求其原物料供應商也採取成本節約措施。

• Samsung succeeds in reducing use of PR during 3D NAND lithography

（首圖來源：Unsplash）

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