三星HBM晶片測試未過！輝達打槍關鍵在「過熱＋功耗」2因素

據路透社24日披露，三星電子最新的高頻寬記憶體(HBM)晶片，尚未通過Nvidia測試，知情人士指出，關鍵在於過熱和功耗問題。

報導指出，上述問題將影響三星的HBM3晶片，該晶片是目前在AI圖形處理單元(GPU)中最常用的第四代HBM標準，以及三星和其競爭對手今年將推出的第五代HBM3E晶片。

三星自去年以來一直試圖通過Nvidia的HBM3和HBM3E測試， 但最近的一次測試結果顯示，三星的8層和12層HBM3E晶片未能通過。

三星在聲明中表示，「目前正在與客戶密切合作優化其產品。」

HBM競爭激烈，2大強敵環伺三星

與此同時，本土競爭對手SK海力士已成為Nvidia的HBM晶片主要供應商，並自2022年6月以來一直提供HBM3。此外，另一家主要的HBM製造商美光，也表示將向Nvidia供應HBM3E。

分析師表示，三星在 HBM 中相對較弱的地位已引起投資者的注意。今年迄今為止，其股價持平，而 SK 海力士的股價上漲了於40%，美光的股價更上漲近5成。

報導也指出，HBM3E晶片很可能成為今年市場上的主流HBM產品，出貨量集中在2024年下半年。而SK海力士則估計，至2027年，HBM 記憶體晶片的需求年增率上看82%。

三星在半導體市場的競爭焦慮，可在本週的半導體部門負責人異動中窺見。三星電子21日宣布，更換半導體暨裝置解決方案（Device Solutions，DS）部門負責人為全永鉉。

其作為全球最大的記憶體晶片製造商，市場對其通過Nvidia測試的期待很高。相對於SK海力士及美光股價，三星截自今年，股價下跌約4%（每股76,200韓圓，約新台幣1,790元），表現持平。

儘管三星尚未成為Nvidia的HBM3供應商，但該公司確實供應了如Advanced Micro Devices (AMD)等客戶，並計劃在第二季度開始大規模生產HBM3E晶片。

本文初稿為AI編撰，整理．編輯/ 李先泰