英特爾在宣布IDM 2.0策略後，於27日首次揭露製程、封裝技術的最新路線規劃，目標要在2025年前趕上台積電和三星的腳步。其中，英特爾憑藉推出的最新20A製程，一舉拿下高通晶片代工訂單。
英特爾此次展示最新的20A製程，其中包含了兩項新技術，分別是全新電晶體架構RibbonFET、背後供電技術PowerVia。高通執行長艾蒙也對此表示，對這兩項突破性的技術感到興奮，「很高興能有另一個領先的代工合作夥伴加入，幫助美國無晶圓廠產業產品和在地生產基地結合。」
在與高通的合作上，雖然雙方皆未宣布哪些產品將會被生產、製造，但英特爾表示，20A製程將計畫於2024年逐步量產。英特爾執行長基辛格也說道，高通合約涉及「主要行動平台」，也就是說，未來幾年的Snapdragon系列晶片將可能部分由英特爾製造。以高通而言，先前已有許多和多家晶圓廠合作的經驗，例如台積電、三星，因此，英特爾是否會分配到其訂單配比，還有待觀察。
從長遠來看，高通與英特爾的合作有許多可能性：以高通專注的手機晶片來看，也許是希望透過英特爾的代工服務來打造手機單晶片（SoC）。又或者，高通先前宣布將搶攻筆電市場，打算透過斥資14億美元併購CPU設計公司Nuvia來設計筆電晶片；結合英特爾在PC生產線上的優勢，高通筆電晶片未來是否也有可能透過英特爾代工產出，也值得關注。
英特爾與台積電、三星在先進製程上角力
20A製程中採用的RibbonFET技術，為英特爾對其環繞式閘極（Gate-All-Around，簡稱GAA）架構的命名，也象徵英特爾將正式從FinFETs轉向GAA的晶片技術。
GAA技術與FinFET的不同之處在於，GAA設計通道的四個面周圍有柵極，可減少漏電壓並改善對通道的控制，這是縮小工藝節點時的關鍵。因此，當製程節點進階到3奈米時，FinFET已然不是最佳之選。
最早宣布將GAA用於3奈米製程的三星目前已成功設計定案（Tapeout），離量產又更進一步，預計於2022年投產。三星也曾提出數據，相較5奈米製程，3奈米GAA製程的晶片面積微縮可達35%，功耗也降低50%，運算效能提高約30%。
而台積電在3奈米製程上將會沿用FinFET，主要基於量產上的考量，其在FinFET架構擁有優於業界的技術，可以更有效控制成本。台積電也預計今年下半年試產後，明年下半年將進入量產。
不過，在GAA技術導入方面，台積電董事長劉德音曾指出，在2奈米之後，台積電將轉向採用GAA的架構，提供比FinFET架構更多的靜電控制，改善晶片整體功耗。目前也已進入製程技術研發階段，預計於2023年風險試產。
不過從近期南韓知識產權局公布的數據來看，GAA製程的相關專利數量，已從2017年的173件倍增至2020年的已381件，其中，台積電以31.4%為居冠，三星則是20.6%，排名第二。可以看出，即便台積電較晚才將GAA技術導入產品，仍在研發競爭力上超越對手。
從英特爾公布的路線圖來看，20A製程將於2024年逐步量產，18A持續改良RibbonFET架構，將於2025年問世。光從台積電和三星在先進製程紛紛領先佈局GAA技術來看，英特爾雖喊出趕上兩大對手的宏大目標，但依舊要面對嚴峻的競爭。
責任編輯：錢玉紘
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