三星開發新處理器散熱機制，過熱不再是自研處理器原罪

韓國媒體 TheElce 報導，三星正在開發新晶片封裝，防止 Exynos 系列處理器 (AP) 過熱。

報導引用知情人士說法，三星新封裝在處理器頂端加上一塊散熱塊（HPB），稱為晶圓級扇出型 HPB 封裝 (FOWLP-HPB)，三星晶片部門先進封裝 (AVP) 業務部門開發，Exynos 系列處理器使用，目標第四季開發完畢量產。

三星還開發安裝多晶片的晶圓級扇出型 FOWLP 封裝，2025 年第四季推出，兩種技術都將把 HPB 裝在 SoC 頂端，記憶體放在 HPB 旁邊。

目前 HPB 用於伺服器和 PC 處理器。智慧手機尺寸較小，現在才導入。智慧手機多用均熱片容納冷媒冷卻處理器和其他核心零件，HPB 僅作用於處理器散熱。

三星考慮採 2.5D 或 3D 封裝導入，因人工智慧應用日益普及，增加晶片繞量。三星經驗豐富，因兩年前 Galaxy S22 智慧手機就因處理器過熱飽受使用者批評。

相較經 HPB 散熱，三星試圖以遊戲最佳化（GOS）應用程式阻止過熱。應用程式不通知客戶下，強制降低手機處理器效能，但三星 HPB 機制降低處理器過熱後，之後手機處理器設計都會採同樣方法。

(首圖來源：三星)

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