氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm 與適配器 USB PD 控制器積體電路公司偉詮電子推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基於 Transphorm SuperGaN 平臺的系統級封裝氮化鎵產品系列。
新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（准諧振/穀底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150毫歐和480毫歐SuperGaN FET。
兩款新的器件與USB PD或可程式設計電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案，還可提供 UHV穀底跟蹤充電模式、自我調整OCP補償和自我調整綠色模式控制等功能。
終端產品製造商想方設法開發物料（BOM）成本更低、但同時又具備靈活、快速充電、和更高功率輸出的新型適配器。此外，針對許多應用場景，製造商還希望提供具有多個埠和/或多種連接類型的更為通用的充電器。而所有這些方案，產品外形都要做到更小、更輕。
Transphorm常閉型d-mode SuperGaN 技術平臺的主要優勢包括：同類最佳的穩固性（+/-20V的柵極裕度和4V的抗擾性）及可靠性（FIT失效率<0.05），且功率密度比矽器件高50%。偉詮電子精簡的SiP設計，利用了上述GaN器件優勢以及自身的創新技術，打造出一款近乎隨插即用的解決方案，縮小外形尺寸的同時，加快設計速度。
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圖片及資料來源：美國商業資訊、Transphorm、偉詮電子