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特斯拉計畫減少 SiC ( 碳化矽 ) 用量意欲何為？
特斯拉在3月1日投資人日 ( Investor Day ) 上強調下一代車型組裝成本力拚減少 50%，並計畫減少 75% 第三類半導體的 SiC 晶體管數用量，引發 SiC 的供應商股價震盪。
面對電動車市場的激烈競爭，特斯拉維持 50% 汽車產銷成長的企圖心面臨許多巨大壓力，包括：
1. SiC 的高昂成本無法滿足特斯拉需求、
2. 汽車、新能源及工業爭相搶購 SiC，料源掌控不易、
3. SiC 目前供不應求，許多車廠簽長約因應，同時也支援國際 IDM 廠長期擴產。由於技術限縮在少數廠商，因此議價話語權偏向供應商。而特斯拉既不想受到長約拘束，也不樂見 SiC 處於賣方市場。
因此特斯拉在投資人日拋出減少 SiC 用量的震撼彈，期望能：
1. 藉此刺激 SiC 供應商降價、
2. 積極尋求替代方案，如與 SiC 同為第三類半導體的 GaN ( 氮化鎵 )。
特斯拉是否能如其所願猶未可知，目前仍無半導體材料能與SiC性能匹敵
綜合以上，特斯拉的壓力來自於對 SiC 的掌控力與成本效益，若是尋找可能取代 SiC 的替代方案，第四類半導體 Ga2O3 ( 氧化鎵 ) 還在前期開發階段，成熟需要10年以上，因此暫時不被考慮，最有機會的選項應是 GaN ( GaN-on-Si )。
然而，GaN 最大的劣勢就是散熱問題，傳統燃油車轉變為電動車的最大差異在引擎更換成電動馬達，需要應付高電壓、大電流的性能要求，也需要優異的散熱表現，特斯拉若要大幅減少 SiC，預料可透過後段模組端來進行散熱改善，但現階段業界仍半信半疑，實際成效有待觀察，因此短期顛覆 SiC 的機率較低。
特斯拉攪動 SiC 供應鏈一池春水，但國際 IDM 廠仍老神在在？
1.SiC 的發展潛力及面臨的挑戰已經不是新鮮事
起初特斯拉率先大量採用 SiC，引起其他汽車大廠陸續跟進，如今這些車廠都已經知悉 SiC 的優劣勢，仍然將其視為必備技術。
此外，特斯拉的反轉可能與急於擴大電動車產能有關，想要維持高產銷成長，成本也需要嚴格控制，這些都與其本身的策略制定有關，而非整體環境結構性需求的轉變，因此推測其他車廠未必會隨波逐流。除非特斯拉的新解決方案可以同時兼顧成本的節約與效能的進一步提升，也就是性價比更高的產品，但目前這項大前提仍不成立，因此近期對 SiC 整體供應鏈而言無須過度恐慌。
2.特斯拉不一定不回頭
許多廠商強調現階段大電壓應用場景當中，SiC 仍然視運作效率最佳的半導體材料，因此最終最符合成本效益的選項中就會被選擇。
再者，特斯拉執行長 Elon Musk 出爾反爾也非頭一遭。之前堅持僅採用以 CIS 為主的純視覺偵測技術，不用車用光達 ( LiDAR )、毫米波 ( mmWave ) 雷達等輔助，不過 2023 年特斯拉又重新搭載 4D 車用毫米波雷達。因此 SiC 是否真的能如願大砍用量至 75% 仍持保留態度。
3.SiC 需求仍然炙手可熱，汽車、再生能源及工業領域需求持續上升
目前提供 SiC 的主要 IDM 廠包括意法半導體 ( STM )、英飛凌 ( IFNNY )、Wolfspeed ( wolf )、安森美 ( ON ) 及羅姆 ( TYO: 6963 )，近期皆持續加碼投資 SiC 晶圓和基板的新產能，同時力求未來幾年內能推動 8 吋製程變成主流，甚至邁向 12 吋，而這些都還在起步階段。
他們敢大刀闊斧增產主因需求的保護，包括車廠依舊陸續簽訂長約，如近期安森美宣布 BMW 新款電動車將導入其 SiC 技術，簽訂長其供貨協議。
除此之外，SiC 仍有電動車以外的應用需求，包括充電樁、儲能等基礎建設產品，對於 SiC 的使用不亞於電動車本身，而再生能源、工業等領域的需求也還在成長中，甚至航太有機會成為新的需求爆發點。綜觀而論，預期特斯拉短期的策略轉向並不會影響各家業者對 SiC 的後續投資與信心。
國際 IDM 廠走向 SiC、GaN 通吃，企圖在第三類半導體趨勢中屹立不搖
儘管 SiC 目前的產業地位難以撼動，但 GaN 的技術發展仍有許多想像空間，其主力目標市場放在3C 快充、通訊、寬頻等領域，近年來因成本優勢，逐漸朝向直流對直流 ( DC-DC )、車載充電器 ( OBC ) 等原本是 SiC 的應用領域，甚至往電動車及工控領域發展。
2023 年 3 月初英飛凌宣布以 8.3 億美元併購加拿大 GaN 元件設計廠 GaN Systems，聚焦在公司 GaN 的開發設計能力，而併購的主因也是看準 GaN 功率元件及模組在未來將適用於更多元的終端應用與快速成長的銷售潛力。
不只是英飛凌，意法半導體、Wolfspeed 等國際 IDM 廠都是橫跨 SiC、GaN 應用，對 GaN 的展望與 SiC 同樣樂觀，因此就算 SiC 部分需求被 GaN 替代，這些在第三類半導體站穩腳步的大廠不需因此事件太過緊張，最終將由不同終端類別引領第三類半導體的市場發展。
SiC巨頭的股價在利空測試下仍能收復失土，有機會成為新的布局良機
整體而言，特斯拉大砍 SiC 的用量看似對於相關供應鏈是一大利空，但仔細深究其目的，仍是圍繞在特斯拉本身高產銷成長及控制成本的策略，現階段尚無完美的 SiC 替代方案，且不管是其他車廠及 SiC 其他應用領域的需求仍十分可觀，因此對相關國際 IDM 廠後續發展並不悲觀，當然如果能切入 GaN 領域，提升整體第三類半導體能力，將更具競爭力。
經歷過此事件，這些 SiC 巨頭的股價都進行了一次利空測試，不過可以發現幾乎當天都呈現開低走高的走勢，透過當天的最低價，可設立短線上一個重要的支撐位置，如安森美的 72 美元、意法半導體的 45.8 美元、英飛凌的 35 美元，以及羅姆的 10,000 日圓關卡。
操作建議方面，1) 短線上如果上述重要點位失守，宜等待進一步整理後，在基本面的支持下再度伺機布局；2) 如果看似利空消息刺激下尚能成功守穩，可視為布局的良機。
原始文章：【美股研究報告】特斯拉擾動「第三類半導體」市場神經，大砍 SiC 產量只是雷聲大雨點小？
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