理財

HBM 加速發展,美光 HBM4 2026 年亮相,HBM4E 2027~2028 年登場

科技新報
更新於 • 發布於 16小時前

為因應用於人工智慧(AI)半導體需求大幅成長,SK 海力士、三星以及美光都加大了在高頻寬記憶體(HBM)領域的開發力道,加速推進第六代 HBM,也就是 HBM4 產品的開發。隨著 HBM 的改朝換代速度加快,第七代 HBM 產品 HBM4E 的開發也出現在發展計畫上。

日前,美光分享最新 HBM4 和 HBM4E 開發,HBM4 有望 2026 年量產,HBM4E 也會在 2027~2028 年亮相。這些 HBM 產品除了更高資料傳輸速度,HBM4E 還採客製化基礎晶片,代表產業模式轉變。

廣告(請繼續閱讀本文)

美光總裁兼執行長 Sanjay Mehrotra 表示,HBM4E 將帶來記憶體業務的模式轉變,其因為採用了台積電先進的邏輯代工製程技術,為某些客戶客製化邏輯基礎晶片,這預計將能帶美光業績表現的改善。

暫時不清楚美光基礎晶片設計,除了基本功能還會有什麼功能。市場預期,美光新基礎晶片有增強暫存、為特定應用程式(如 AI、HPC、網路等)量身訂做的自行定義介面協議、記憶體到記憶體傳輸功能、可變介面寬度、先進電壓縮放和供電控制,以及自行定義 ECC 與安全性演算法等。由於涉及標準問題,也不清楚 JEDEC 標準是否支援此類客製化內容。

廣告(請繼續閱讀本文)

美光表示,HBM4E 開發順利,已與多客戶合作,預期會採不同基礎晶片和配置,達成客製化設計的目標。美光 HBM4E 還能支援 Marvell 客製化 HBM 運算架構,以便更客製化各種 XPU 和 HBM 解決方案。

美光 HBM4 採第五代 10 奈米 1b 製程,預計用於輝達 Rubin 和 AMD Instinct MI400 系列 GPU,相較競爭對手 SK 海力士和三星都傾向更先進第六代 10 奈米 1c 製程,市場競爭優勢有待考驗。

(首圖來源:shutterstock)

立刻加入《科技新報》LINE 官方帳號,全方位科技產業新知一手掌握!

查看原始文章
留言 1
  • Jerrome
    中國急起直追了..中國DDR5都成功量產了..HBM也快攻克…ㄧ旦攻克…南科的現在的股價就是美光明天的股價了🤭🤭🤭🤭🤭
    18小時前
顯示全部