經濟部推動設備國產化、加速部署碳化矽關鍵製程設備及檢測技術，金屬工業研究發展中心委託光電協進會(PIDA)10月24日假台北南港展覽館1館500會議室舉辦「化合物半導體設備產業的前瞻未來」研討會，邀請產業界專家經驗分享，共同探討如何強化產業鏈韌性，推動6/8吋碳化矽技術的發展與提升。
經濟部根據六大核心戰略產業推動方案「資訊及數位產業」政策，明定國內需積極發展以化合物半導體為核心的高效率能源轉換與應用技術的方針，其中，建立化合物半導體設備自製能力，更是國家發展的戰略目標之一。金屬工業研究發展中心鄭永茂博士致詞時表示，金屬中心承接經濟部產業發展署「化合物半導體設備發展推動計畫」，協助潛力廠商加速部署碳化矽關鍵製程設備及檢測等技術，並輔以單點突破，逐步達成國內化合物半導體設備自製能力。
光電協進會執行長程道琳指出，化合物半導體如氮化鎵、碳化矽等具有高功率、高頻率、高耐熱等特性，廣泛應用於5G通訊、電動車、光電、國防等領域。因此，推動化合物半導體設備的發展對台灣保持先進科技競爭力至關重要。PIDA響應國家發展化合物半導體設備國產化目標，特別在台北光電展期間，將10月24日訂為化合物半導體日，早上主題為化合物半導體設備產業國產化的前瞻未來研討會，下午即為化合物半導體聯盟聯誼暨次世代化合物半導體產業技術論壇。
該場次研討會講師均為化合物半導體產業重量級的業界專家，包括穩晟材料科技總經理朱閔聖分享「化合物半導體單晶生長技術與挑戰」，解析GaN/SiC材料特性與單晶生長的挑戰；第二場由台灣鑽石工業董事長藍敏雄分享「化合物半導體的研磨加工」，展望未來發展趨勢；第三場由蔚華科技副總許睿芃分享「SiC非破壞性材料缺陷分析及元件／模組測試驗證解決方案」，提供SiC致命缺陷及解決方案；第四場由致茂電子半導體測試設備事業部副總林旭初分享「化合物半導體的高頻、高壓檢測與挑戰」，從解析電晶體結構的差異、測試需求的不同，提出測試的方法與工具；壓軸由甫在那斯達克上市的台灣彩光科技總經理張永朋就自家產品分享「AI晶片如何帶動半導體產業的需求」，整場活動交流熱絡，為後續推動化合物半導體核心的高效率能源轉換與應用技術之設備自製能力，帶來更大潛力商機。