MoneyDJ新聞 2025-01-16 11:35:04 記者 郭妍希 報導
南韓媒體傳出，美國記憶體大廠美光(Micron Technology, Inc.)準備量產16層堆疊的第5代高頻寬記憶體「HBM3E」，進度幾乎跟SK海力士(SK Hynix)差不多。
爆料人士@Jukanlosreve 16日引述南韓媒體報導，業界消息顯示，美光正在進行最後的設備評估，準備量產16層堆疊產品。不只如此，美光同時也大幅加碼對關鍵製程設備的投資。
南韓半導體業界人士直指，美光過去在標準型DRAM市場屈居第三，最近卻憑藉客製化高頻寬記憶體(HBM)和低功耗次世代記憶體連結成功獲取進展，南韓半導體企業必須提高警覺。
據傳，輝達(Nvidia Corp.)次世代產品將搭載16層堆疊的HBM3E ，美光、SK海力士的量產準備進度相近。
美光15日終場勁揚5.99%、收103.19美元，創2024年12月18日以來收盤新高；年初迄今已大漲22.61%。相較之下，SK海力士、三星電子(Samsung Electronics)年初迄今僅上漲13.94%、0.94%。
市場先前謠傳，輝達已決定將次世代AI加速器「Rubin」的發布時間提前六個月，從原本的明(2026)年提前到今年第三季。每顆Rubin將搭配8枚HBM4。
輝達執行長黃仁勳(Jensen Huang) 2024年11月20日在財報電話會議點名一些輝達「好夥伴」(great partners)時，僅提到台積電(2024)、SK海力士及美光等業者，並未提及三星。
黃仁勳1月7日在拉斯維加斯消費電子展(CES)舉行的記者會上表示，三星必須「重新進行設計」(has to engineer a new design)才能通過輝達對其HBM的驗證程序。他說，「三星必須重新設計，但他們可以做到、且工作速度飛快。」「韓國人非常沒耐心，這是好事。輝達使用的第一款HBM其實是三星創造的。他們勢必能重振旗鼓。」
(圖片來源：美光)
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