2024年9月12日 (優分析產業數據中心) -
在2024年第三季，由於漢磊(3707-TW)面臨汽車及消費性需求的減少，庫存持續去化，導致目前為止其「矽」半導體的產品線較去年同期衰退32%。但隨著新應用（如AI伺服器）的導入，GaN半導體的產品需求成長，預計整體產能利用率將逐步回升至80%以上。
此外，漢磊正在進行與世界先進的策略合作，開發8吋SiC半導體晶圓製造技術，目標於2026年下半年開始量產，預計將擴展應用於電動車、AI資料中心、綠能等領域。
漢磊科技股份有限公司是是亞洲少數具備量產規模的第三類半導體代工廠。該公司以其在磊晶及化合物半導體領域的專業技術而聞名，主要業務包括矽磊晶片、氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)等化合物半導體的製造，以及積體電路代工服務，這些半導體材料如氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）被廣泛應用於電動車、綠能、AI伺服器等高科技領域。
公司在2024年上半年因電力半導體客戶（主要是汽車和消費電子）進行庫存調整而面臨重大業務挑戰，但預計第四季度的業務將因客戶急單需求而顯示強勁的環比復甦。
特別是在GaN（氮化鎵）產品上，由於AI伺服器等新應用的導入，需求將持續增長，預計Q4產能利用率將回升至80%以上。對於SiC（碳化矽）產品線，雖然上半年受太陽能客戶高庫存影響銷量下滑，但隨著客戶庫存調整至健康水準，近期開始出現一些急單需求，公司預期下半年SiC產品產出將優於上半年。
庫存去化進入尾聲時，由於終端需求尚不穩定，所以客戶為了避免再次出現高庫存，此時多半以急單因應，這是庫存去化即將結束的訊號。
台灣SiC產能崛起
此外，漢磊與世界先進的合作有望到2026年將其SiC產能翻倍至每月1.5萬片（以約當6吋產能計算），並在長期內擴展六倍至10萬片，代表著台灣在第三代半導體的一大進展。
達成戰略合作協議，以開發8吋SiC（碳化矽）半導體晶圓製造技術。該合作旨在利用世界先進現有的晶圓廠設施，共同開發8吋SiC設備和製程技術，並專注於電動車（xEV）、AI數據中心、綠色能源和新興市場，為IDM（整合元件製造商）和無晶圓廠客戶提供全面的解決方案。
此合作將使漢磊到2026年將其SiC代工產能翻倍，並且有潛力將其產能擴展至六倍。初期8吋產能規劃為1.5萬片每月（kwpm），預計至2026年建置完成，未來最大可達到每月10萬片。這種8吋技術的遷移不僅能夠幫助降低35-40%的晶粒成本，還能因為成本的下降推動更多應用採用SiC技術，這項進展格外受到市場關注，因為它可能塑造台灣半導體產業在該領域的競爭力。