MoneyDJ新聞 2024-12-12 11:37:42 記者 郭妍希 報導
韓媒傳出，三星電子(Samsung Electronics Co.)的高頻寬記憶體「HBM3E」遲遲無法達到業界標準，難以加入輝達(Nvidia Corp.)供應鏈，至少今(2024)年是如此。
Wccftech 11日報導，三星據傳無法通過驗證、達成輝達設定的HBM標準，該公司更為此罕見發文致歉，但聲稱他們樂觀相信能有突破性發展。
然而，根據南韓媒體Daily Korea報導，三星透露，今年「幾乎不可能」向輝達供應8層與12層堆疊HBM3E，因為晶片效能無法達成輝達要求。不過，明年景況看來樂觀。
據傳，三星遲遲無法取得輝達信任、進而爭取到訂單，是因為競爭對手SK海力士(SK hynix)率先改用批量回流模制底部填充(mass reflow molded underfill；MR-MUF)等優秀技術，把跨入門檻拉得非常高。
路透社曾於3月12日獨家報導，分析師及業界人士相信，三星堅持使用非導電性膠膜(Non-Conductive. Film；NCF)技術，因而面臨一些生產問題，是HBM3至今仍未通過輝達品質測試的原因之一。不過，消息透露，三星最近已下單採購專為MUF設計的晶片製造設備。數名分析人士直指，3月當時三星HBM3的良率只有10~20%，而SK海力士的HBM3良率卻已達60~70%。
輝達執行長黃仁勳(Jensen Huang) 11月20日在財報電話會議上點名台積電(2330)等多家合作夥伴，但卻獨漏三星。對此，黃仁勳11月23日在香港科技大學出席一場會議時透露，輝達會儘快驗證三星的AI記憶體晶片。他指出，輝達正在檢視三星供應的8層與12層堆疊HBM3E。
市場近日謠傳，SK海力士將應重要客戶要求，於明年下半以3奈米生產客製化的第六代高頻寬記憶體(HBM)「HBM4」，而非原定的5奈米製程。SK海力士已決定跟晶圓代工龍頭台積電合作開發HBM4，而主要出貨的客戶是輝達。
爆料人士@Jukanlosreve 12月3日透過社交平台X指出，SK海力士之所以改以台積電3奈米技術製造HBM4、是為了回應三星以4奈米生產HBM4的聲明。結果，三星如今也考慮以3奈米生產HBM4，甚至可能選用台積電的3奈米技術。
(圖片來源：shutterstock)
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