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研調估 NVIDIA Blackwell 2025上半年放量 帶動 CoWoS-L

經濟日報
更新於 1天前 • 發布於 1天前
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全球市場研究機構TrendForce今日發布針對2025年科技產業發展,整理十大重點趨勢,其中提到聚焦2025年先進製程與AI推動下,半導體技術及CoWoS需求迎來革新與大幅增長,預估NVIDIA Blackwell新平台2025年上半逐步放量後,將帶動CoWoS-L需求量超越CoWoS-S,占比有望逾60%。

該機構分析,晶圓廠前段製程發展至7nm製程導入EUV微影技術後,FinFET結構自3nm開始逐漸面臨物理極限,先進製程技術自此出現分歧。TSMC及Intel延續FinFET結構於2023年量產3nm產品;雖Samsung嘗試由3nm首先導入基於GAAFET (Gate all around Field Effect Transistors)的MBCFET架構 (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor),並於2022年正式量產,但至今未放量。進入2025年後,TSMC 2nm正式轉進奈米片電晶體架構 (Nanosheet Transistor Architecture),Intel 18A則導入帶式場效電晶體(RibbonFET),Samsung仍致力改善MBCFET 3nm製程,力拚2025年實現規模量產,三方正式轉進GAAFET架構競賽,期盼藉由四面接觸有效控制閘極,為客戶帶來更高效能、更低功耗且單位面積電晶體密度更高的晶片。

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該機構也分析,AI應用造成客製化晶片及封裝面積的需求日益提升,同步推升2025年CoWoS需求。觀察明年CoWoS市場重要發展態勢:一、2025年NVIDIA對TSMC CoWoS需求占比將提升至近60%,並驅動TSMC CoWoS月產能於年底接近翻倍,達75~80K;二、NVIDIA Blackwell新平台2025年上半逐步放量後,將帶動CoWoS-L需求量超越CoWoS-S,占比有望逾60%;三、CSP積極投入ASIC AI晶片建置,AWS等在2025年對CoWoS需求量亦將明顯上升。

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