Wolfspeed為第三代半導體龍頭，生產碳化矽、氮化鎵相關系列產品
Wolfspeed（NYSE：WOLF）為第三代半導體龍頭，前身為Cree，成立於1987年，總部位於美國北卡羅萊納州。原先在Cree時期，業務包含LED、照明以及功率與射頻（RF）元件之研發、製造、銷售，為一IDM（垂直整合製造）公司；後於2019起，陸續出售其LED與照明部門，專注於碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬能隙（Wide Bandgap，WBG）材料與元件之設計製造，並更名為Wolfspeed。
第三代（寬能隙）半導體與矽相比，更能耐高溫高壓高頻，適合通訊、車用
業界將不同材料製成的半導體，隨著時代的演進分為第一、二、三半導體，不過代與代之間並無優劣之分。
第一代半導體指的是以矽（Si）或鍺（Ge）製成的半導體，主要用在邏輯運算IC，例如：最為人所知的CPU、GPU。
第二代半導體的砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）則多數運用在RF（例如：功率放大器PA）、衛星、光電等元件。
由於在某些場景，大至太空儀器、軍事設備，小到5G基地台、車用零組件、太陽能發電，會需要電子元件承受較極端的環境，而第一、二代半導體已經達到物理極限時，第三代半導體的需求即應運而生。
第三代半導體如Wolfspeed主營的碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN），為較新的材料，擁有較高「能隙（使半導體通電的最小電壓）」。第三代半導體不僅能承受高溫與高頻，也較第二代半導體更能承受高壓，適合RF、電動車零件、充電樁等應用，因此在電動車崛起的時代，廣受投資人矚目。
資料來源：Infineon
資料來源：O. Deblecker, Z. De Grève and C. Versèle, Comparative Study of Optimally Designed DC-DC Converters with SiC and Si Power Devices, Advanced Silicon Carbide Devices and Processing, 2015
Wolfspeed技術在第三代半導體市場據絕對領先地位，SiC晶圓市佔率逾六成
由於製作SiC、GaN晶棒的過程，並不如生產Si來得容易，需要在一個精確高溫且長時間密閉的空間進行磊晶，開發成本極高，而目前世界上擁有最多專利與技術的公司即為Wolfspeed，使得其在第三代半導體市場長期位處絕對領先地位。另外，根據Wolfspeed與Yole統計，Wolfspeed在SiC晶圓製造的市場中，全球市佔率高達62%，顯現這是一個寡占市場。
資料來源：Wolfspeed
資料來源：Wolfspeed、Yole
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