記者黃文記∕新市報導
台灣半導體材料技術再突破，國立成功大學「晶體研究中心」二０二五年正式啟動，二十六日上午在成大南科台達大樓舉行開幕典禮。成大晶體研究中心是目前國內唯一具備超高溫（2300℃以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構。未來該中心將攜手全球產業夥伴，加速技術轉移，推動SiC與氧化鎵材料在半導體、光學、雷射及醫療領域的應用，提升台灣在全球市場的競爭力。
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二十六日揭牌儀式後，現場進行最新的SiC與氧化鎵晶體技術展示。下午邀集半導體、光學、醫療及雷射產業的頂尖專家齊聚一堂，共同探討高溫晶體技術的未來發展，盼透過與業界的深度交流，加速技術落地應用，為台灣晶體技術研發，開啟全新篇章。
成大晶體研究中心長期獲國科會與教育部高教深耕計畫支持，已突破高溫SiC晶體生長的技術瓶頸，可生長大尺寸、高純度的SiC晶體，為台灣半導體與功率元件產業提供關鍵材料。這項技術將大幅提升電動車、５Ｇ通訊、高效能電源管理等應用的效能，助台灣產業搶占全球市場先機。
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同時，該中心亦在氧化鎵領域取得重大進展，氧化鎵因擁有超寬能隙特性，被視為下一代高功率電子元件重要材料。透過特殊設計的熔融法生長技術，中心團隊已成功製備出高品質氧化鎵晶體，未來將與產業界合作。
晶體研究中心主持人周明奇表示，這次中心成立不但獲得學術界高度關注，更吸引國內外龍頭企業大力支持。其中，大立光電集團投入數千萬元建置最先進的晶體生長設備，並額外投入經費專注於氧化鎵技術開發與技術轉移，使研究規模擴增三倍，推動台灣在全球晶體技術競爭中的領導地位。此外，大立光及其子公司台灣應用晶體公司亦將加入成功大學半導體學院，進行SiC磊晶生長研究，預計將在未來三年內帶來突破性的技術成果。