SK 海力士上個月 26 日宣布，將率先全球開始量產 12 層 HBM3E。據韓媒 The Elec 報導，SK 海力士已向半導體和電子設備製造商 ASMPT 下大筆訂單，熱壓縮（TC）鍵合設備。
消息人士透露，SK 海力士已訂購超過 30 台設備，用於生產 12 層 HBM3E，而 TC 鍵合設備對 HBM 生產非常重要，尤其是對垂直堆疊多顆 DRAM 模組。
SK 海力士指出，公司將堆疊 12 顆 3GB DRAM 晶片，實現與現有 8 層產品相同厚度，但容量可提升 50%。為了達成這個目標，公司將單個 DRAM 晶片製造得比以前薄 40%，並採用矽穿孔技術（TSV）技術垂直堆疊。
SK 海力士指出，公司解決變薄的晶片堆疊更多時產生的結構性問題，同時採用 MR-MUF （批量迴流底部模制填充）技術來黏合 HBM 記憶體，因具有低壓、低溫鍵合和批量熱處理的優勢，其散熱性能較上前一代提升10%，並增強控制翹曲問題，進而確保穩定性和可靠性。
SK 海力士下單 ASMPT 設備
據報導，在測試過程中，SK 海力士確定 ASMPT 的設備表現優於南韓半導體設備製造商 Hanmi Semiconductors 的設備。
Hanmi Semiconductors 上個月表示，已成立一支 40人團隊，專為 SK 海力士提供售後服務，報導猜測可能是因為設備表現不佳所致。
在 ASMPT 和韓華精密機械（Hanwha Precision Machinery）等競爭對手進入市場前，Hanmi Semiconductors 一直主導 SK 海力士 TC 鍵合設備的供應。雖然韓華精密機械尚未通過 SK 海力士的測試，但也繳交自己的設備進行測試。SK 海力士拒絕對此回應。
12 層 HBM3E 將搭配 NVIDIA 的 Blackwell，以及 AMD 的 MI325、MI350 等 AI 加速器使用。研調機構 TrendForce 預期，2025 年 HBM3E 將占 HBM 需求 80%，其中一半將來自 12 層 HBM。
雖然三星也提供自家 12 層 HBM樣品給 NVIDIA，但目前尚未通過。
SK海力士強調，公司是唯一一間開發並向市場供應全系列HBM產品的企業。公司業界率先成功量產 12 層堆疊產品，不僅滿足了人工智慧企業日益發展的需求，同時也進一步鞏固了 SK 海力士在面向 AI 的記憶體市場的領導者地位。
SK 海力士 AI Infra 擔當金柱善社長指出，「我們再次突破了技術壁壘，證明在面向AI的記憶體市場中獨一無二的主導地位。為了迎接AI時代的挑戰，我們將穩步準備下一代記憶體產品，以鞏固『全球頂級面向AI的記憶體供應商』的地位」。
（首圖來源：科技新報）
