韓國記憶體大廠 SK 海力士今日宣布，量產全球最高 321 層堆疊 1Tb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體。
SK 海力士表示，2023 年 6 月量產上代 238 層堆疊 NAND Flash 後，現又先推出超過 300 層堆疊的 NAND Flash，突破界線。SK 海力士計劃 2025 上半年起，供貨 321 層堆疊產品。
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產品開發採高生產效率 3-Plug 製程，克服堆疊局限。分三次通孔製程，最佳化後續工程，三個通孔以電氣連接。並開發低變形材料，引進通孔自動排列（alignment）矯正。
團隊也將上代 238 層堆疊 NAND Flash 平台用於 321 層堆疊產品，最大限度減少製程變化。與上代相較，生產效率提升 59%。321 層堆疊產品與上代相較，數據傳輸速度和讀取性能分別提高 12%、13%，數據讀取能效也提高 10% 以上。SK 海力士接下來將以 321 層堆疊 NAND Flash 因應 AI 低功耗、高性能市場，逐漸擴大應用範圍。
NAND Flash 開發副社長崔正達表示，先投入 300 層堆疊以上 NAND Flash 量產，攻佔 AI 資料中心固態硬碟、邊緣 AI 等 AI 記憶體市場有利地位。將來不僅 HBM 為代表的 DRAM 領域，NAND Flash 領域也有超高性能產品組合，躍升為全方位 AI 記憶體商。
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(首圖來源：SK 海力士)