被台積電嫌太貴！High NA EUV一台要價120億，厲害在哪？ASML高管親自解析

運用光學技術在晶圓上刻出精細電路的EUV（極紫外光）曝光機，在半導體先進製程不可或缺，又因其高昂的價格、被視作出口管制目標，屢受外界關注。

荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）9月6日舉行媒體活動，該公司High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）產品管理副總裁Greet Storms特地來台介紹最新微影技術，表示不僅可簡化製程工序、提升產能及良率，也回應外界對於價格過高的疑問。

High NA EUV被嫌太貴？ASML：EUV客戶都有下單

根據外媒報導，一台High NA EUV要價約3.8億美元（約新台幣121.2億元），比前一代EUV約1.8億美元（約新台幣57.4億元）貴上一倍，讓台積電業務開發資深副總經理張曉強也直呼太貴。張曉強曾表示，2026年下半將量產的A16製程，預計還不需用到High-NA EUV設備。

對此，Greet Storms回應，ASML現在的EUV客戶，未來也會是High NA EUV的客戶，都已經有下訂單，不過仍需依客戶製程成本等整體考量而定。她並說，艾司摩爾將和客戶緊密合作，正往2026年量產方向努力。

Greet Storms也提到，High NA EUV與現行的EUV在設計方面有通用性，可降低客戶的導入風險和研發成本。

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High NA EUV較前代升級：提升良率、提高產能、省電

High NA EUV採用新的光學元件，將數值孔徑（numerical aperture）從目前EUV的0.33，提升至0.55，達到更高的成像解析度，晶片製造商可在同樣單位面積的晶片上，實現高出2.9倍的電晶體密度；並且能提高40%成像對比度降低成像缺陷，藉以簡化先進製程的製造工序，提升產能與良率。

艾司摩爾並預估，若在先進製程中導入EUV、High NA EUV微影系統，到2029年，使用ASML微影技術生產每一片晶圓使用的100度電，將為整體製程節省200度電。

High NA EUV是什麼？一台120億元厲害在哪？

High NA EUV規格與安裝
• 設備尺寸：14公尺X4公尺X4公尺，約為1台雙層巴士
• 設備重量：150公噸，約等於2架空中巴士A320客機
• 設備安裝：裝機時間約6個月，需250個貨箱、250名工程人員才可完成安裝
High NA EUV超強性能
• 最平滑鏡面：High NA EUV具有人類史上最平滑的鏡面，相當於地球大小的面積，誤差不超過一張撲克牌的厚度。
• 超快加速度：光罩平台模組（Reticle Stage）的加速度高達32G，相當於戰鬥機飛行時5倍的加速度。
• 超高速傳輸：從晶片圖案到晶圓成像所需的成像資料傳輸速度，相當於每秒能傳輸100部Netfix電影。
• 超高溫度：為了產生EUV光，錫電漿需要加熱到攝氏22萬度，約等於太陽表面溫度的40倍。CO2雷射以每秒50,000次的速度，擊中約1/3人類頭髮寬的錫滴，來產生EUV光。
• 超高精準度：晶片各層彼此疊對的精準度，約為4個矽原子（約0.6奈米）。
資料來源：艾司摩爾

High NA EUV歷時10年研發

Greet Storms分享High NA EUV的研發歷程，艾司摩爾從2014年就開始設計研發，與美國、德國、法國等多國的公司及供應商合作，可說是十年磨一劍，並於2020年至2022年進行模組整合，隨後進行模組與系統測試，自2023年底開始陸續出貨。

她並提到，High NA EUV產能預計每小時可曝光超過185片晶圓，將支援2奈米以下邏輯晶片，以及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量產。

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