日前，中國記憶體廠商長江存儲確認自主研發的 64 層堆疊 256Gb TLC NAND Flash 已經在 2019 年投入量產，並正在擴充的產能，將儘早達成約產能 10 萬片的規模，並達到計畫總產能每月 30 萬片的目標。如今，長江存儲再宣布下一個階段的技術發展目標，就是將跳過如今業界常見的 96 層，直接投入 128 層 NAND Flash 的研發工作，不過，暫時沒有具體的目標時間表。
對於長江存儲計畫跳過 96 層堆疊，直接投入 128 層堆疊 NAND Flash 產品的發展計畫，市場人士反映，在中國極力發展自主半導體產業的情況下，期望彎道超車已經是中國各廠商努力的目標，只是屆時能不能完成，則還有待觀察。
事實上，2020 年，全球 NAND Flash 產業將集體朝向 100 層以上堆疊的發展已經成為趨勢。例如南韓 SK 海力士已在近期出貨 128 層 NAND Flash，並預計在年底完成 176 層堆疊產品的開發。至於三星則以 128 層、136 層的產品發展為主，威騰電子與鎧俠 (原東芝記憶體) 則都是以開發 112 層堆疊的高密度產品為主。美光方面則將進入 128 層堆疊的領域，而英特爾則會建立 144 層堆疊的產品產線。
過去，長江存儲推出 64 層堆疊的 NAND Flash 產品，相對於國際大廠有一到兩代的差距。因此，這次選擇以 128 層堆疊的產品發展，一旦真的成功，無疑的將能進一步縮小與業界其他領先對手的差距。不過，在技術的挑戰性上也將會更大。
據了解，長江存儲在技術創新方面，透過自行研發的 Xtacking 堆疊架構，已經可以保證可靠性問題，而目前下一代的 Xtacking 2.0 也正在開發中，未來可把效能與可靠性層次提升，這也是長江存儲有自信直接搶攻 128 層堆疊市場的重要關鍵。
根據長江存儲之前的介紹，Xtacking 架構就是在兩片獨立的晶圓上加工週邊電路和儲存單元，有利於選擇更先進的製程技術，提升 NAND Flash 的 I/O 介面速度、儲存密度，使得晶片面積也能減少約 25%。
而且，當兩片晶圓各自完工後，只需一個處理步驟就可透過數百萬根垂直互聯通道 (VIA)，將兩片晶圓結合在一起。因此，長江存儲強調，受惠於並行且模組化的產品設計及製造方式，這使得 Xtacking 架構的 NAND Flash 的開發時間也可縮短 3 個月，生產週期也可縮短 20%。
根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）日前的調查報告指出，由於 Client SSD 合約價自高點連跌 7 季之後，其與傳統硬碟的成本差距已經不遠，使得自 2019 年第 2 季起刺激筆記型電腦搭載 SSD 的比重及容量顯著上升。
另外，2019 年 6 月中旬後，鎧俠/威騰位在日本三重縣四日市的廠區發生跳電問題，導致市場供給量下降，因此帶動 eMMC/UFS、SSD 成交價格在 2019 年第 3 季中止跌。至於，Wafer 市場則更是迅速反彈，2019 年第 3 季上漲近 20%，eMMC/UFS 及 SSD 合約價也在 2019 年第 4 季翻漲。因此，總體而言，預估2020 年第 1 季 NAND Flash 將呈現淡季不淡。
而在此 NAND Flash 市況逐漸好轉的情況下，長江存儲 NAND Flash 產能的擴張，再加上即將投入最新堆疊技術的情況下，究竟能對市場帶來多大的影響，則有待後續的進一步觀察。
（首圖來源：長江存儲）
