根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系記憶體大廠美光科技 (Micron) 正式宣布，將採用第 3 代 10 奈米級製程 (1z nm) 來生產新一代 DRAM。而首批使用 1z nm 製程來生產的 DRAM 將會是 16GB 的 DDR4 及 LPDDR4X 記憶體。對此，市場預估，美光的該項新產品還會在 2019 年底前，在美光位於台灣台中的廠區內建立量產產線。
報導指出，美光指出，與第 2 代 10 奈米級（1y nm）製程相比，美光的第 3 代 10 奈米級製程 (1z nm) DRAM 製造技術將使該公司能夠提高其 DRAM 的位元密度，從而增強性能，並且降低功耗。此外，以第 3 代 10 奈米級製程所生產新一代 DRAM，就同樣是 16 GB DDR4 的產品來比較，功耗較第 2 代 10 奈米級製程產品低 40%。另外，在 16 GB LPDDR4X DRAM 方面，1Z nm 製程技術將較 1y nm 製程技術的產品節省高達 10% 的功率。而且，由於 1z nm 製程技術提供的位元密度更高，這使得美光可以降低生產成本，未來使得記憶體更加便宜。
報導進一步指出，美光本次並沒有透露其 16 Gb DDR4 DRAM 的傳輸速度為何，但根據市場預計，美光的新一代 1z nm 製程 DRAM 記憶體將會符合 JEDEC 制定的官方標準規格。而首批使用美光新一代 1z nm 製程 16 GB DDR4 記憶體的設備將會是以桌上型電腦、筆記型電腦、工作站的高容量記憶體模組為主。
至於，在行動記憶體方面，根據美光公布的資料顯示，1z nm 製程的 16 GB LPDDR4X 記憶體的傳輸速率最高可達 4266 MT/s。此外，除了為高階智慧型手機提供高達 16 GB（8×16Gb）LPDDR4X 的 DRAM 模組外，美光還將提供基於 UFS 規格的多記憶體模組（uMCP4），其中內含 NAND Flash 和 DRAM。而美光針對主流手機的 uMCP4 系列產品將包括 64GB＋3GB 至 256GB＋8GB（NAND＋DRAM）等規格。
雖然美光沒有透露其採用 1Z nm 技術的 16 Gb DDR4 和 LPDDR4X 記憶體將會在哪裡生產，不過市場分析師推測，美光其在日本廣島的工廠將會採用最新的製造技術開始批量生產，而在此同時，也期待 2019 年底前在台灣台中附近的美光台灣晶圓廠將開始營運 1z nm 製程技術的生產線。
(首圖來源:美光)
