針對之前中國記憶體廠合肥長鑫宣布，預計將在 2019 年底前生產 DDR4 DRAM 記憶體，並採第一代 1x 奈米 (19 奈米) 製程生產，初期希望能達到每月 2 萬片產能的消息，現在有媒體報導，合肥長鑫不但預計在 2020 年中將月產能提升至 4 萬片，還預計直接跳過 18 奈米，直接往 17 奈米製程發展的消息。市場人士對此表示，合肥長鑫 17 奈米製程預計要到 2021 年才有機會導入之外，目前 19 奈米製程至 2019 年底前每月產能也僅有 5,000 片上下，要擴產仍必須視良率的進展而定。
合肥長鑫 2016 年成立於安徽合肥，目前一期工程投資就高達 72 億美元 （約 494 億人民幣），將建設一座月產能 12.5 萬片晶圓的記憶體工廠。現階段工廠建設已經進入了尾聲，正在進行設備安裝、調試階段。而一旦進度順利，則有望在年底前順利量產中國的第一批 DRAM 記憶體。
而根據合肥長鑫之前公開的資料，該公司在 2018 年就已經與兆易創新簽訂了合作協議，共同開發 1x 奈米製程的 DRAM 記憶體，並且於 2018 年底正式展出了 8Gb DDR4 記憶體樣品。2019 年第 3 季則再推出 8Gb LPDDR4 記憶體樣品，並預計年底正式量產，月產能將達到 2 萬片晶圓，後續則將不斷提升到每月 12.5 萬片的目標產能。
日前，媒體報導指出，由於第三代技術的研發進度順利，合肥長鑫預計將跳過 18 奈米直接跳級鎖定 17 奈米開發。另外，報導還表示，儘管一期的規劃產能可達到 12 萬片以上，但合肥長鑫並未打算在短期內快速擴充投產規模。原因是合肥長鑫在量產 19 奈米製程之際，也同步進行 17 奈米製程研發，預計以 17 奈米製程投入下一階段擴產月產能 4 萬片的主要技術。
對此，熟悉市場的人士指出，合肥長鑫目前購入的機台設備月產能約 2 萬片，但是到 2019 年底前的投片量僅有個位數約 5,000 片上下，預計 2020 年第 1 季才有機會達到 1 萬片的規模。而合肥長鑫對外宣稱，2020 年底月產能會到 6 到 7 萬片的水準，其最重要的還是要取決良率的提升速度而定。至於，在製程的發展上，知情人士進一步指出，合肥長鑫從來就沒有規劃 18 奈米製程，原來就是規劃 19 奈米及後續 17 奈米製程的發展。目前仍會以 19 奈米的生產優化為主，17 奈米製程部分最快要到 2021 年之際才會導入。
另外，在合肥長鑫在量產的產品部分，目前會是以 DDR4 8Gb 為主，而 LPDDR4 8Gb 的量產則是預計時間點會落在 2020 年上半年。整體來說，即便相關產品的量產與製程的發展，對中國半導體產業有著形式上特別意義。不過，對於全球 DRAM 市場在 2020 年的影響仍舊有限。但是，到了 2021 年就必須要進一步關注。
(首圖來源:合肥長鑫)
