半導體講求製程微縮，生產的晶片有更小體積、更好效能之外，也有更優異的耗能表現。而在製程微縮的需求下，微影曝光設備能提供的效能就更加關鍵。如何讓微影曝光設備能提供更加精密的工作效能，全球微影曝光設備大廠艾司摩爾（ASML）就在官方 Facebook 公布關鍵公式：萊利公式（Rayleigh Criterion），使半導體微影曝光設備能持續發展。
ASML 指出，萊利公式為 CD=k1 x ( λ / NA)，描述了重要參數間的對應關係，CD（Critical Dimension）中文譯作關鍵尺寸或臨界尺寸，而 k1 為變因，λ 則是曝光機所用的光源波長，最後 NA（Numerical Aperture）就是代表光學系統的數值孔徑。
利用此公式，在半導體製程中，希望生產的晶片體積越來越小、搭載效能越來越高。也就是說，必須將公式中的 λ （光源波長） 縮小、NA（反射鏡數值孔徑）提高，讓最後得到的 CD 越來越小。雖然有此公式輔助，但同時還是必須有曝光機的內部構造和工作模式的發展，這也是提升晶片生產效能和良率的關鍵要素。
ASML 進一步表示，透過萊利公式持續改善我們的微影設備，並透過專業的微影技術、與客戶及供應商的緊密合作，協助台灣及全球半導體產業提升製造良率和產能，實現晶片微縮藍圖，讓終端消費者能夠用更合理的價格買到功能更強、體積更小巧的電子產品，進一步提升人類的生活品質。
（首圖來源：艾司摩爾）
