俄羅斯計劃自研 EUV 光刻機 擬挑戰 ASML 成本更低更易製造

俄羅斯近日公布自主開發 EUV（極紫外光刻）光刻機的路線圖，目標是設計出比荷蘭 ASML 光刻設備更便宜且製造更簡單的機款。俄羅斯計劃使用 11.2nm 波長的雷射光源，雖與 ASML 標準 13.5nm 波長不兼容，但能提升 20% 的解像度，帶來更精細的生產技術。俄羅斯科學院微結構物理研究所 Nikolay Chkhalo 將會領導這個項目，期望創造一套具成本效益且能支援俄羅斯國內晶片製造的光刻機。

俄羅斯新光刻機所使用的 11.2nm 波長激光光源採用氙基技術，與 ASML 使用的錫基光源有所不同。Nikolay Chkhalo 指出，這種波長能在提升解析度的同時簡化光學元件設計，並降低成本。使用 11.2nm 波長的光源亦能有效減少光學元件污染，延長收集器和保護膜等關鍵部件壽命，並可在短波長下使用矽基光阻劑，提升光刻性能。

雖則俄羅斯光刻機的光源功率僅 3.6 千瓦，導致產能約為 ASML 設備的 37%，但對應小規模晶片生產需求已足夠。該開發項目共分為三個階段。第一階段將專注基礎研究、確認關鍵技術並進行初步元件測試。第二階段目標是製造一台每小時可處理 60 片 200 毫米晶圓的原型機，並整合至俄羅斯國內晶片生產線。第三階段則致力於開發可供工廠使用的系統，每小時可處理 60 片 300 毫米晶圓。

由於 11.2nm 波長與現有 EUV 設備生態系統不兼容，俄羅斯需要重新建立一套完整的光刻生態系統，包括光學元件、光罩設計、感應器及電子設計自動化（EDA）工具等。現有 EDA 工具雖能支援基本邏輯合成、佈局和路由功能，但涉及光罩數據準備、光學鄰近校正（OPC）及解像度增強技術（RET）等步驟，必須重新校準以適應新制程模型。

目前俄羅斯尚未明確三個階段的具體完成時間表，也未透露新光刻機支援的製程技術。考慮到新技術所需的開發和生態系統建設，整個項目可能需要十年或更長時間才能落實。

資料來源：Tom's Hardware

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