台積電 2nm N2 技術細節曝光　效能、功耗大躍進

台積電的 2nm 製程技術無疑是市場上最受矚目的發展之一。根據台積電在 IEEE 國際電子元件會議（IEDM）中所發佈的最新資訊，2nm「nanosheet」技術成為此次簡報的焦點。這項新製程預計將在 2025 年下半年進入大規模量產，並將在效能和效率上帶來巨大飛躍。

效能提升 15% 功耗降低 30%

台積電強調，2nm 製程的效能提升達到 15%，同時功耗降低了 30%，節能表現顯著提升。此外，晶體管密度也提升了 1.15 倍，這歸功於全環繞閘極（GAA）nanosheet 晶體管以及 N2 NanoFlex 技術，使製造商能夠在最小面積內整合不同的邏輯單元，進一步優化製程效能。

FinFET 到 nanosheet 技術的轉變

由傳統的 FinFET 技術轉向 2nm「nanosheet」，台積電成功提升電流控制的精確度。這種技術採用堆疊的窄矽帶，每個矽帶皆被閘極環繞，實現了比 FinFET 更精確的電流控制，讓製造商根據不同的應用場景進行微調。

價格提升

2nm 製程的優勢使其成為 Apple 和 NVIDIA 等產業巨頭的首選。然而，隨著技術升級，N2 製程的晶圓價格也將水漲船高，預計較 3nm 製程上漲超過 10%。2nm 晶圓的單價可能在 25,000 至 30,000 美元之間，而 3nm 晶圓的價格約為 20,000 美元。此外，考慮到初期的良率與試產階段，2nm 製程在早期的採用速度可能會較為緩慢。

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