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財經

麻省光子技術落戶香港 至少投資兩億

Capital 資本平台

更新於 07月31日08:00 • 發布於 07月31日08:00 • henryl

香港科技園公司與麻省光子技術(香港)(30日)舉行半導體氮化鎵外延片中試線啟動禮,預計在港投資至少2億元,創造超過250個微電子相關職位,旨在共同推動香港微電子產業的發展,促進香港新型工業化進程。麻省光子技術預計在港投資2 億元,3 年後年產能1 萬片,冀帶動整個第三代半導體產業鏈布局。

創新科技及工業局局長孫東表示,香港要因地制宜發展新質生產力,必須發揮好國際化優勢和雄厚科研實力,支持優勢科技產業在港發展,而第三代半導體就是香港近年來重點發展的科技領域。特區政府正以產業導向為原則,積極推進微電子產業發展。香港微電子研發院將於今年內成立,並將設立碳化硅和氮化鎵兩條中試線,協助初創、中小企業進行試產、測試和認證,促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。這次麻省光子技術落戶香港確切回應了政府的發展戰略,同時助力香港壯大創科人才庫。

香港科技園公司行政總裁黃克強表示,科技園公司一直配合政府,全力發展微電子產業。作為香港最大的創科旗艦,有蓬勃的微電子生態圈,超過200家園區公司從事微電子。科技園公司提供了一流的基建,加上龐大的合作夥伴網絡,以及在把科研成果商品化方面有豐富的經驗,可以提升香港微電子的研發實力及產業化,助力香港成為國際創新科技中心。

麻省光子技術行政總裁廖翊韜表示,計劃入駐新建的香港科技園微電子中心(MEC),建設香港首條8吋氮化鎵外延片研發中試產線,並基於該公司外延片,聯合香港微電子專家,開發下游的氨化鎵光電子和功率半導體器件。廖翊韜預計,年底前公司將完成1 億元融資。他強調公司在香港的融資不限幣種,市場需求巨大,3 年後1 萬片的目標產能可以靈活調節,希望可以超過目標產能。

創新科技及工業局局長孫東

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