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科技

【跨市博弈】AI技術蓬勃發展 進一步推動晶圓市場 重塑DRAM市場的未來

BusinessFocus

更新於 04月29日14:10 • 發布於 04月29日10:08 • PressLogic - BusinessFocus

在全球技術舞台上,DRAM(動態隨機存取記憶體)的角色日益重要。隨着AI(人工智能)技術的蓬勃發展,對高效能記憶體的需求急劇增加,特別是在AI智慧型手機和個人電腦(PC)領域。但是,DRAM市場的供應鏈和技術挑戰是一場永無止境的戰爭,其中涉及的不只是技術問題,更有戰略布局的較量。

首先,DRAM市場的供需動態一直以來都極具挑戰性。儘管在這場戰爭中,只剩下三大主要玩家:三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron),但在2022年的下行周期,SK海力士和美光的毛利率為負,而負毛利率則導致持續經營風險。

不過,HBM(高頻寬記憶體,High Bandwidth Memory)的崛起,標誌着儲存技術向更高效能的轉變。然而,HBM的生產對晶圓供應的消耗遠大於傳統的DDR5記憶體。例如,Micron在最近的業績電話會議中提到,HBM3E的晶圓消耗是DDR5的三倍。到2026年,這一比例預計將進一步惡化,HBM4的消耗可能達到DDR5的五倍。HBM3e的良率低於70%,而且隨着更多晶片堆疊超過8-hi,良率只會變得更難。HBM不僅消耗了更多當前晶圓供應,而且這項變更直接影響了DRAM和NAND的資本開支(Capex),因為更多的投資正在被引導到HBM生產上。

同時,SK海力士和美光由於清潔室空間限制,面臨無法大幅擴展其DRAM產能的局面。SK海力士的M16廠到2025年將完全達到產能極限,而美光也需要等到2026年其新的Boise廠投產後才能擴充產能。這些計劃的完成將直接影響到公司的未來產能。在目前,這一局面迫使這些廠商必須依賴製程遷移來增加每片晶圓的數量。

技術遷移方面,三星顯示領先優勢,計劃在2024年加速遷移到1c奈米製程。同時,美光將在其廣島工廠引進極紫外線(EUV)技術,以提升1-gamma製程的產能。這不僅是美光首次在DRAM生產中應用EUV技術,更標誌着DRAM生產技術的一大步前進。對於EUV設備製造商ASML來說,DRAM領域的這項變化無疑是一個正面訊號。因為,ASML提到2023年第四季有五成的EUV訂單來自DRAM。

不過,政策環境也對市場格局產生了深遠的影響。例如,美國對中國的出口限制使得SK海力士在其無錫工廠無法使用EUV(極紫外線)光刻技術(該廠的DRAM產能佔其45%),這可能限制了其產品在性能上的提升。這類政策衝擊不僅影響技術進程,也可能重塑全球供應鏈的動態。

AI的需求成長將進一步推動DRAM市場的發展。隨着智慧型手機和個人電腦愈來愈多地整合AI功能,這些設備對DRAM的需求預計將顯著增加。例如,未來AI手機和AI PC可能分別需要至少12GB和16GB的DRAM,遠高於目前8GB的標準配置。

然而,儘管當前市場看起來樂觀,投資者應警惕記憶體市場的周期性波動。從歷史經驗來看,記憶股的股價在下一個下行周期開始前的6至9個月就開始見頂回落。

惟無論如何,DRAM市場正在經歷一場由技術進步和新興需求共同驅動的變革。儘管面臨挑戰,AI時代的到來無疑為DRAM製造商帶來了新的增長機會。

家族辦公室投資經理 徐立言

www.facebook.com/hsulylab/

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