日經：中國半導體技術進步迅速　與台積電差距縮窄約 3 年

美國政府對中國華為（Huawei）實施出口禁令已有 5 年，然而這些管制的實際效果如何卻鮮少被深入討論。根據日本半導體調查公司 TechanaLye 的分析顯示，中國半導體的實力現已追趕至僅落後台積電約 3 年。

本半導體調查企業 TechanaLye 每年拆解近百種電子產品，TechanaLye 社長清水洋治分享了兩張半導體電路圖，分別是 2024 年 4 月上市的華為最新款智能手機 Pura 70 Pro 的應用處理器「KIRIN 9010」與 2021 年前使用的處理器「KIRIN 9000」。清水洋治指，KIRIN 9010 由華為旗下的海思半導體設計，並由中國代工廠中芯以 7 nm 技術量產；而 KIRIN 9000 則由台積電以 5 nm 技術量產。

▲2021 年台積電以 5nm 量產的「KIRIN 9000」（左）；
2024 年中芯以 7nm 量產的「KIRIN 9010」
圖片來源：日經

一般而言，當電路線幅縮小時，半導體的處理性能會提高，晶片面積也會相應縮小。中芯所生產的 7 奈米晶片面積為 118.4 平方毫米，而台積電的 5 奈米晶片則為 107.8 平方毫米，兩者在面積上並無太大差異。據《日經》引述 TechanaLye 指，2 種晶片處理性能相當接近。

雖然中芯與台積電在良率上仍有差距，但從晶片的性能來看，中芯的技術實力已逼近台積電的水平，僅落後約三年。清水洋治進一步分析指，雖然中芯的製程技術為 7 nm，但他認為其性能已經能夠與台積電的 5 nm 相媲美。

針對中國能夠在本國生產如此廣泛的半導體產品，清水洋治指，美國管制主要針對用於人工智能（AI）等伺服器用途的先進半導體，只要不構成軍事威脅，美國或許會對中國的技術發展保持一定容忍度。

根據半導體行業組織 SEMI 的數據顯示，2023 年中國在全球半導體製造設備的購買份額高達 34.4%，遠超過韓國和台灣的水平。儘管最先進的半導體製造設備出口管制備受關注，但中國仍在不斷購買未受管制的設備，並穩步提高其量產技術。

清水洋治總結道：「到目前為止，美國政府的管制措施雖然略微拖慢了中國技術創新，但也推動了中國半導體產業的自主生產步伐。」

圖片來源：Gizmo China

資料來源：日經

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