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科技

Samsung 3nm GAA 製程技術 良率大幅落後預期目標

Unwire.hk

發布於 11月12日01:30

雖然 Samsung 率先推出 3nm GAA 製程技術,但韓國傳媒近日報導指,其晶片生產良率仍未達到理想水平。新聞網站 Naver 的報導指 Samsung 原本為第一和第二代 3nm GAA 製程,設定了良率 70% 的目標,但現時看來目標遙不可及。

報導指首代 SF3E-3GAE 版本的良率大約為 50 至 60%,與目標比較接近,但未達到足以具備商業吸引力的水平。良率問題亦是 Samsung 未能吸引新客戶採用其 3nm GAA 技術的原因之一。事實上,Qualcomm 決定將 Snapdragon 8 Elite 交由台積電,採用對方的 3nm N3E 架構上生產。至於代號 SF3-3GAP 的 Samsung 第二代 3nm 製程,情況則更不樂觀。報導指良率只有約 20%,不到最初制定目標的三分之一。

如果 Samsung 在良率上無法取得進展,相信市場會對其 3nm 技術進一步失去信心,甚至會令部分韓國客戶亦轉用台積電更成熟的 3nm 技術。由於 3nm GAA 技術的挑戰,有指 Samsung 已經將資源和人才逐步轉向即將推出的 2nm 節點技術。有傳代號 Ulysses 的 Exynos 處理器正使用 SF2P 技術開發,預計將會在 2027 年應用在 Galaxy S27 系列。

資料及圖片來源:gizmochina

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