晶片技術是現時各國爭相發展的領域，韓國科技龍頭三星（Samsung）今日（30日）宣佈，將使用下一代GAA架構量產3納米製程晶片，並成為全球第一間量產3納米製程的晶圓代工廠商，但公司並未公佈首批客戶名單。
性能提高23% 功耗降低45%
三星電子表示，與目前5納米晶片相比，3納米晶片會在節點中使用GAA架構，以突破上世代FinFET架構的性能限制。而使用GAA架構生產的晶片，表面面積會減少16%、性能會提高23%，功耗會降低45%，使晶片在各方面都能滿足客戶的需求。
三星晶圓代工事業主管崔世英表示，「三星一直迅速成長，持續展現在運用新一代製造技術方面的領導地位。」三星又指，將於2023年發展第二代3納米晶片，屆時晶片可降低高達50%功耗，提高30%性能和減少35%面積；並於2025年量產GAA技術的2納米製程晶片。
傳中資虛幣公司及高通下訂單
公司並未公佈最新晶片的首批客戶名單，但有分析師預計三星本身和中國公司將成為首批客戶。此外，有台媒報道指出，中國虛擬貨幣挖礦機晶片設計公司上海磐矽半導體（PanSemi）及高通 (Qualcomm) 亦已下訂單。
台積電方面，日前才公佈於2025研發GAA架構2納米晶片，並於2026年左右發表第一款產品。有市場人士認為，現時台積電仍使用FinFET架構，若三星可以保持3納米製程晶片的合格率，就能成為代工市場的遊戲規則破壞者。
有台媒表示，兩間晶片大廠一直都在研發GAA架構的3納米晶片，但一直不能維持合格率。南韓市場分析師則表示，三星必須為7納米晶片及更先進製程技術取得更多客戶，否則可能打擊投資者對三星業績的信心。
密切留意BossMind動向！立即CLS
