受台灣政府資助的台灣工業技術研究院與台積電等多間廠商，共同開發第 3 代磁性記憶體 SOT-MRAM 陣列晶片，可達成 0.4 納秒高速寫入、7 兆次讀寫之高耐受度，為全球最快，效能領先韓國大廠 20%。
台灣經濟部技術處周三（14 日）在 2022 SEMICON Taiwan 展出共 33 項創新技術，其中由工研院與台積電等多間台灣廠商共同開發的第 3 代 SOT-MRAM （自旋軌道扭矩磁性記憶體）陣列晶片高運算與低耗能，可達成 0.4 納秒高速寫入、7 兆次讀寫之高耐受度，為全球最快，效能領先韓國大廠 20%。
經濟部技術處處長邱求慧表示，第 3 代 SOT-MRAM 技術是首獲美國國防部出資合作開發下一代磁性記憶體技術，具備高運算力、低耗能、高耐受度等特性，還可整合成先進製程嵌入式記憶體，克服 IC 設計時兩顆分開的晶片間，會有傳輸速度變慢、耗能變高的挑戰。未來可以在 AI 人工智慧能、車用電子、高效能運算晶片等領域具有優秀的前景與市場應用潛力。邱求慧又指第 3 代 SOT-MRAM 技術效能超韓趕美，若使用在車用市場將潛力無窮。
此外，工研院亦在同場展出其研發的「充電樁與車載充電器用碳化矽功率模組」，採用了碳化矽功率半導體元件（SiC MOSFET）取代傳統矽基功率半導體元件（Si IGBT），可實現高電壓低電流的 800V 快充，比 400V 系統減少一半的充電時間。
資料來源：台灣經濟部技術處
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