氮化鎵（GaH）芯片製造商英諾賽科 （2577.HK） 今日（18日）起至23日招股。英諾賽科計劃發行4536.4萬股H股，一成於香港作公開發售，招股價介乎30.86元至33.66元，集資最多15.3億元。每手100股，一手入場費3399.95元。英諾賽科預期將於12月30日掛牌。聯席保薦人為中金公司及招銀國際。
量產8英吋硅基氮化鎵晶圓
英諾賽科為全球首家實現量產8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司，設計、開發及生產若干類型的氮化鎵產品，包括分立器件、集成電路、晶圓及模組。
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今年首6個月收益3.9億元人民幣，按年升25.2%。不過，期內虧損4.9億元人民幣，按年減少15.8%。
集資用途
所得款項淨額約60%用以擴大8英吋氮化鎵晶圓產能、購買及升級生產設備及機器以及招聘生產人員；20%用於研發及擴大我們的產品組合；10%用於擴大氮化鎵產品的全球分銷網絡；10%作營運資金及其他一般企業用途。
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基構投資者
英諾賽科引入意法半導體（STMicroelectronics；美：STM）全資附屬STHK、江蘇國企混改基金、東方創聯、蘇州高端裝備為基石投資者，投資總額合共1億美元。