ASML 執行長 Christophe Fouquet 近日表示，儘管中國半導體公司近年來取得了顯著進展，但與 Intel、台積電、Samsung 等行業領導者相比，仍落後約 10 至 15 年。他指出，這一差距主要源於中國企業無法取得先進的 EUV 光刻技術。即便配備頂尖的 DUV 設備，中國晶圓代工廠中芯仍難以在成本與技術上與台積電的製程競爭。
ASML 向中國提供 DUV 光刻機
由於美國的出口限制，ASML 從未向中國交付 EUV 設備，但仍向中芯等公司供應 DUV 光刻機，例如 Twinscan NXT:2000i，這些設備支持 5nm 及 7nm 級別的製程技術，幫助華為等公司在美國制裁下保持晶片生產能力。
中國積極探索自主 EUV 技術
了解到 EUV 技術無法進口後，中國科技企業正投入資源，試圖自主研發 EUV 光刻機及相關生態系統。根據專家評估，該過程可能需要 10 至 15 年的努力。儘管中國可參考許多已公開的基礎技術，但 ASML 的 EUV 設備從基礎研究到商業化共耗費 20 多年，中國企業將面臨巨大挑戰。
當中國實現低數值孔徑（Low-NA）EUV 技術時，西方的半導體行業或已經進入高數值孔徑（High-NA）甚至超高數值孔徑（Hyper-NA）時代。這意味著技術代差將持續存在，但中國的突破可能改變市場生態。
模仿 DUV 技術的風險
ASML 更關注的是，中國可能在未來幾年模仿其主流 DUV 光刻技術，特別是 Twinscan NXT:2000i 型號。美國已施壓 ASML 停止對中國的設備維修與維護，但荷蘭政府尚未同意這項要求。ASML 目前保持對設備的控制，以防技術外流。
如果中國成功模仿並商業化 DUV 設備，可能減少對 ASML 的依賴，甚至成為國際市場上的競爭者。雖然短期內難以複製最先進的型號，但生產較簡單的版本或許更可行。
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